5光电发射效应及其PMT3
1光电发射效应------外光电效应(一)光电发射原理金属或半导体在光的照射下吸收光子激发出自由电子,当吸收的能量足以克服原子核对电子的束缚时,电子就会脱离原子核逸出物质的表面,这就是物质的光电发射现象,也称为外光电效应
它是真空光电器件光电阴极的物理基础
(二)光电效应三定律1
光电发射第一定律——斯托列托夫定律:当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时,饱和光电流(即单位时间内发射的光电子数目)与入射辐射通量(光强度)成正比:I:饱和光电流;k:光电发射灵敏度系数;:入射辐射通量;2
光电发射第二定律光电子的最大动能与入射光的频率成正比,而与入射光强度无关:外光电效应发生的条件:Eh3
光电效应中有红限存在,即光电发射的长波限为:(三)光电发射的基本过程光电发射大致可分三个过程:1)光射入物体后,物体中的电子吸收光子能量,从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态
2)受激电子从受激地点出发,在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞,而失去一部分能量
3)达到表面的电子,如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚(即逸出功)时,即可从表面逸出,形成光电子
光电发射的基本过程(四)相关材料特性1
良好光电发射材料的标准①光吸收系数大,以便产生较多的受激电子;②光电子在体内传输过程中受到的能量损失小,使其逸出深度大;③表面势垒低,使表面逸出几率大;④具有一定的电导率
因为电子出去以后,还要从外部电源补充电子
满足上述4点的材料就会得到较高的量子效率,是好的光电发射材料
为什么纯金属不适合用作光电阴极材料
金属材料是否满足上述4点
——其反射率为90%,吸收光能少;——体内自由电子多,由于碰撞引起的能量散射损失大,逸出深度小;——逸出功大(>3eV),难逸出金属表面,量子效率低;——光谱响应在