2018-2022年中国氮化镓(GaN)产业发展预测及投资机会分析报告▄核心内容提要【出版日期】2017年4月【报告编号】20419【交付方式】Email电子版/特快专递【价格】纸介版:7000元电子版:7200元纸介+电子:7500元▄报告目录第一章氮化镓相关概述第一节、氮化镓基本介绍一、氮化镓简介二、氮化镓形成阶段三、氮化镓性能优势四、氮化镓半导体作用第二节、氮化镓材料的特性一、结构特性二、化学特性三、光学特性四、电学性质五、磁学特性第三节、氮化镓的制备方法一、金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二、分子束外延(MBE)技术三、氢化物气相外延(HVPE)技术四、悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)第二章2015-2017年半导体材料产业发展全面解析第一节、半导体材料相关概述一、第一代半导体材料二、第二代半导体材料三、第三代半导体材料第二节、2015-2017年全球半导体材料行业发展综述一、产业发展状况二、市场规模分析三、市场竞争格局四、市场研发突破第三节、2015-2017年中国半导体材料行业运行状况一、行业销售规模二、市场格局分析三、市场研发状况四、产业转型升级五、行业成果分析第四节、半导体材料行业存在的问题及发展对策一、行业发展滞后二、产品同质化严重三、供应链不完善四、产业创新不足五、行业发展建议第五节、半导体材料产业未来发展前景展望一、行业发展趋势二、行业需求分析三、行业前景分析第三章2015-2017年氮化镓产业发展深度分析第一节、氮化镓产业发展综述一、产业发展历程二、民用市场起步三、国产化将加速四、成本竞争分析五、GaN应用项目第二节、2015-2017年氮化镓市场发展动况一、射频氮化镓市场快速增长二、GaN器件产业发展瓶颈三、GaN市场增长驱动因素第三节、氮化镓材料专利分析一、氮化镓专利时间及区域分布二、氮化镓专利技术布局三、氮化镓重点研发机构四、