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场效应管(FET)的工作原理总结VIP免费

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结型场效应管的工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。N沟道结型场效应管工作时,需要外加如图1所示的偏置电压,即在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对沟道电阻及漏极电流iD的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。转移特性:在uDS一定时,漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系称为转移特性。在UGS(off)≤uGS≤0的范围内,漏极电流iD与栅极电压uGS的关系为2)输出特性:输出特性是指栅源电压uGS一定,漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系。543210£­1£­2£­3£­4uDS=12­VuGS/ViD­/­mAIDSSUGS(off)1.vGS对沟道电阻及iD的控制作用01234524681012141618iD­/­mAuDS­/­V夹断区可变电阻区£­4­V£­3­V£­2­V£­1­V击穿区恒流区(放大区)uDS£½0­V图2所示电路说明了vGS对沟道电阻的控制作用。为便于讨论,先假设漏-源极间所加的电压vDS=0。当栅-源电压vGS=0时,沟道较宽,其电阻较小,如图2(a)所示。当vGS<0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区,因此,随着|vGS|的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图2(b)所示。当|vGS|进一步增大到一定值|VP|时,两侧的耗尽层将在沟道中央合拢,沟道全部被夹断,如图2(c)所示。由于耗尽层中没有载流子,因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大,即使加上一定的电压vDS,漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压称为夹断电压,用VP表示。上述分析表明,改变栅源电压vGS的大小,可以有效地控制沟道电阻的大小。若同时在漏源-极间加上固定的正向电压vDS,则漏极电流iD将受vGS的控制,|vGS|增大时,沟道电阻增大,iD减小。上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场,电场强度的大小控制了沟道的宽度,即控制了沟道电阻的大小,从而控制了漏极电流iD的大小。2.vDS对iD的影响设vGS值固定,且VP

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