半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductordevice)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω•cm绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。电阻率在108Ω•cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω•cm2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：(1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm，变化了50多万倍;(2)电阻率受环境温度的影响很大。例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。热敏电阻：正温度系数—随着温度的升高，电阻阻值增加。负温度系数―随着温度的升高，电阻阻值减小。(3)光线的照射也会明显地影响半导体地导电性能。光敏电阻3、半导体的结构半导体材料锗和硅都是四价元素，它们原子核外层有四个价电子。正常情况下电子受原子核的束缚，不能任意移动，所以导电性能差。因为物体的导电是靠带电荷的粒子定向移动来实现的。当向半导体内掺入杂质后，晶体内部原有的平衡被打破，当掺入硼原子时，它外层原有的三个价电子和周围的硅原子中的价电子形成“共价键”。这时硅原子不再呈电中性，好像失去了一个带负电的价电子，留下空位，称它为“空穴”。由于空穴有接收电子的性质，相当于一个正电荷。当掺入磷原子，它外层有五个价电子，形成共价键时就多出了一个价电子。此电子可以自由参加导电。把半导体中载运电荷的粒子称为载流子，带负电的自由电子和带正电的空穴都是半导体中的载流子。在掺杂的半导体中电子和空穴的数目是不相等的，这就有多数载流子和少数载流子之分。载流子―在电场作用下，能作定向运动的粒子。在半导体中，载流子有两种：自由电子和空穴。4、本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。(纯净度99.99999%)5、杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。这种半导体称为杂质半导体。根据所掺杂质的不同，分为P型半导体和N型半导体。(1)P型半导体：在本征半导体中掺入适量三价元素(硼、铝)，形成空穴型(P型)半导体。它的导电能力大大高于本征半导体。①多子(主要导电的载粒子)：空穴。②少子：自由电子(热激发形成)。(2)N型半导体：在本征半导体中掺入适量五价元素(磷、锑)，形成自由电子型(N型)半导体。①多子(主要导电的载粒子)：自由电子。②少子：空穴(...
