半导体三极管及其放大电路练习及答案VIP专享VIP免费

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a0.1Vb0.5Vc0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a0.1Vb0.3Vc0.5V答案：b5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的β为_____a40b50c60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案：b10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。a发射极b基极c集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案：a15.当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真a饱和b截止c饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案：c25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案：a26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______a晶体管的电流放大系数太大b电源电压太高c晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c27.在放大电路中，直流负反馈可以________a提高晶体管电流放大倍数的稳定性b提高放大电路的放大倍数c稳定电路的静态工作点答案：c28.可以放大电压，但不能放大电流的是_________放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案：c29.射极输出器无放大_________的能力。a电压b电流c功率答案：a30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是_______放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案：b31.与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_______a不变b变大c变小答案：c32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______a0.5kWb1kWc2kW答案：b35.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是_______多级放大电路。a阻容耦合b变压器耦合c直接耦合答案：c36.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应______a好b差c相同37.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的______多级放大电路。a阻容耦合b变压器耦合c直接耦合38.若三级放大电路的Au1=Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了______倍。a80b800c1000039.有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______a40dBb32dBc16dB40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因...