宽禁带半导体电力电子器件前景展望高勇(西安卫光科技有限公司,西安710065)摘要:Si基半导体器件的性能参数已经接近理论极限,不可能再有很大的发展。宽禁带半导体电力电子器件的关键技术参数(工作电压、电流密度、工作温度和开关速度)比Si器件有突破性的提高,已经进入商业化应用阶段,具有十分广阔的发展前景。加强宽禁带半导体电力电子器件的研发,尽早实现产业化,发挥其节能减排的社会效益,对于国家的可持续发展、国防安全和国际地位都具有重要意义。关键词:宽禁带;半导体;电力电子器件;碳化硅,氮化镓中图分类号:TN3134;TN3234文献标识码:A文章编号:1003353X(2010)增刊005903OutlookofWideBandgapSemiconductorPowerElectronicDevicesGaoYong(Xi’anWeiguangScience&TechnologyCo,Ltd.,Xi’an710065,China)Abstract:Characteristicparametersofsiliconbasedsemiconductordevicesreachestheoreticallimit,andgreatfurtherdevelopmentisimpossibleComparedtosiliconbaseddevice,criticalparameters(operatingvoltage,currentdensity,operatingtemperature,andswitchingspeed)ofwidebandgapsemiconductorpowerelectronicdevicesaremuchgreatlyimprovedThesedeviceshaveenteredcommercialusingalready.TheirfurtherdevelopmentpotentialisverywideSpeedingupresearchworkonwidebandgapsemiconductorpowerelectronicdevices,realizingitscommercialproductionassoonaspossible,actualizingitssocialbenefitofsavingenergyanddecreasingpollutantventing,areofgreatimportanceforourcountry’scontinuabledevelopmentandinternationalpositionKeywords:widebandgap;semiconductor;powerelectronicdevice;SiC;GaNEEACC:2560P0引言随着电力电子技术应用的不断发展,对电力电子器件的性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言,要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的导通压降和更快的开关时间;对于航天和军事应用而言,还要有更强的抗辐照能力。特别是对于航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域,以上要求更为迫切。目前广泛采用的Si电力电子开关器件经过近60年的发展,性能已经趋近其理论极限,难以再有很大幅度的提升,即将成为制约未来电力电子技术进一步发展的瓶颈之一。要使其性能和可靠性有根本性的突破,必须在基础材料上另辟蹊径。自20世纪90年代以来,经过许多研究者的不懈努力,宽禁带半导体材料逐渐展现出无比诱人的前景。1宽禁带电力电子器件的优越性SiC,GaN,AlN以及AlGaN等宽禁带半导体材料受到了愈来愈多的关注,成为新材料、新器件研究的热点。随着研究的深入,宽禁带半导体材料展现出一系列让Ge,Si和GaAs等传统半导体材料望尘莫及的优点。櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶doi:1039...