光电技术自测题VIP专享VIP免费

光电技术自测题一填空1在光辐射能的测量中，建立了两套参量和单位。一套参量是，适用于整个电磁波谱；另一套参量是，适用于可见光波段。2发光强度的单位是，光通量的单位是，光照度的单位是。3本征吸收的长波限表达式为。非本征吸收有、、、、等。半导体对光的吸收主要是。4半导体的光电效应主要有、、。5PN结外加正偏电压时，耗尽区变，结电容变；PN结外加反偏电压时，耗尽区变，结电容变。6光子探测器输出光电流为，其中M指，指。7光电探测器噪声主要有、、、、。8光电探测器的积分灵敏度与采用的光源有关。通常测试光子探测器的积分灵敏度，辐射源采用；测试热探测器的积分灵敏度，辐射源采用。9激光器的基本组成包括三部分，分别为、、。10可见光波长范围。紫外光波长范围。红外光波长范围。11光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由、、、和组成。二单项选择1克尔效应属于（）A电光效应B磁光效应C声光效应D以上都不是2海水可以视为灰体，300K的海水与同温度的黑体比较（）A峰值辐射波长相同B发射率相同C发射率随波长变化D都不能确定3下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器（）A热电偶B红外光电二极管C2CR113蓝硅光电池D杂质光电导探测器4硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是（）A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置5为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（）A辐射照度B辐射亮度C辐射出度D辐射强度6为了探测宽度为0.5us、重复频率为200kHz的激光脉冲信号，若要准确保证脉冲形状，检测电路带宽至少应该大于（）A2MHzB20MHzC200MHzD150MHz7.为了提高测辐射热计的电压响应率，下列方法中不正确的是（）A将辐射热计制冷B使灵敏面表面黑化C将辐射热计封装在一个真空的外壳里D采用较粗的信号导线8.光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为（）A683lmB0.683lmC278.2lmD0.2782lm9直接探测系统中：（）A探测器能响应光波的波动性质，输出的电信号间接表征光波的振幅、频率、相位B探测器只响应入射至其上的平均光功率C具有空间滤波能力D具有光谱滤波能力10下列探测器的光－电响应时间，由少数载流子的寿命决定：（）A线性光电导探测器B光电二极管C光电倍增管D热电偶和热电堆11下列光电器件,哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（）ASi光电二极管BPIN光电二极管C雪崩光电二极管D光电三极管12有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）A半导体对光的吸收主要是非本征吸收B本征半导体和杂质半导体内部都可能发生本征吸收C产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值D产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值13.在常温下，热探测器的D*~108--109cm·Hz1/2/W，而D*的极限值可达到1.8×1010cm·Hz1/2/W。实际热探测器的D*低于极限值的主要原因是下列因素难以忽略()A热辐射B热传导和热对流C热传导和热辐射D以上都不是14表中列出了几种国外硅APD的特性参数。根据表中数据，要探测830nm的弱光信号，最为合适的器件是（）AC30817EBC30916ECC30902EDC30902S15在相干探测系统中，下列说法不正确的是（）A探测器能响应光波的波动性质,输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B探测器只响应入射其上的平均光功率C具有空间滤波能力D具有光谱滤波能力16给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是()A可以扩大探测器光谱响应范围B可以提高探测器灵敏度C可以降低探测器噪声D可以提高探测器响应速度17下列光源中哪一种光源，可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源：（）A氘灯B低压汞灯C色温2856K的白炽灯D色温500K的黑体辐射器18对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子是多子B空穴是少子C能带图中施主能级靠近导带底D能带图中受主能级位于价带顶19若要检测10-7s的光信号，最合适的光电探测器是（）APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D2CR11型光电池20对于光敏电阻，下列说法不正确的是（）A弱光照下，光电流与光照度有良好的线性关系B光敏面做成蛇形，有利于提高灵敏度C光敏电阻具有前历效应D光敏电阻光谱...