本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。近几天开发项目需要用到STM32驱动NANDFLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1Gbit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1、Nor读取速度比NAND稍快2、Nand写入速度比Nor快很多3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s4、Nor带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上,对CPU要求低5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储8、NAND便宜一些9、NAND寿命比Nor长10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册下面是NAND的存储结构:由此图可看出NAND存储结构为立体式正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nandflash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍:MemoryCellArray=(2K+64Bytesx64Pagesx1,024Blocks由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量DataField,64bit为额外容量SpareField。SpareField用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口:由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件主程序:1.#defineBUFFER_SIZE0x2000//此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据2.#defineNAND_HY_MakerID0xAD//NAND厂商号3.#defineNAND_HY_DeviceID0xF1//NAND器件号4./*配置与SRAM连接的FSMCBANK2NAND*/5.NAND_Init(;6./*读取NandFlashID并打印*/7.NAND_ReadID(&NAND_ID;复制代码Tips:NAND器件的ID包含四部分:1stManufacturerCode2ndDeviceIdentifier3rdInternalchipnumber,cellType,NumberofSimultaneouslyProgrammedpages.4thPagesize,sparesize,Blocksize,Organization1.if((NAND_ID.Maker_ID==NAND_HY_MakerID&&(NAND_ID.Device_ID==NAND_HY_DeviceID//判断器件符合2.{3./*设置NANDFLASH的写地址*/4.WriteReadAddr.Zone=0x00;5.WriteReadAddr.Block=0x00;6.WriteReadAddr.Page=0x05;7./*擦除待写入数据的块*/8.status=NAND_EraseBlock(WriteReadAddr;//写入前必须擦出9./*将写NandFlash的数据BUFFER填充为从0x25开始的连续递增的一串数据*/10.Fill_Buffer(TxBuffer,BUFFER_SIZE,0x25;//填充数据以测试11./*将数据写入到NandFlash中。WriteReadAddr:读写的起始地址*/12.status=NAND_WriteSmallPage(TxBuffer,WriteReadAddr,PageNumber;//主要写入函数,此部分默认为小页需要修改13./*从NandFlash中读回刚写入的数据。riteReadAddr:读写的起始地址*/14.status=NAND_ReadSmallPage(RxBuffer,WriteReadAddr,PageNumber;//读取主要函数,也需要修改15.16./*判断读回的数据与写入的数据是否一致*/17.for(j=0;j
