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近几天开发项目需要用到STM32驱动NANDFLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1Gbit的大页(2K,多走了两天弯路
以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动
本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1、Nor读取速度比NAND稍快2、Nand写入速度比Nor快很多3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s4、Nor带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上,对CPU要求低5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储8、NAND便宜一些9、NAND寿命比Nor长10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册下面是NAND的存储结构:由此图可看出NAND存储结构为立体式正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nandflash也分为若干block,每个block分为如干page
一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同
需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash的擦写,而擦写则是以一个block为单位的
我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍:MemoryCellArray=(2K+64Bytesx64Pagesx1,024Blocks由此可见,该NAND每