三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋塔吊基础计算书编制:审核:批准三星物产建设(上海)有限公司目录一.工程概况……………………………………………………………………
项目基本概况………………………………………………………………
塔吊基础形式………………………………………………………………
4二.编制依据……………………………………………………………………
5三.施工部署……………………………………………………………………63
塔吊平面布置………………………………………………………………
塔吊基础施工顺序…………………………………………………………
主要施工机械配置计划……………………………………………………
6四.塔吊基础设计………………………………………………………………7五.质量保证措施………………………………………………………………
34六.安全技术措施………………………………………………………………
34七.备注………………………………………………………………
…………34一.工程概况1
项目基本概况:三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋工程,场地总建筑面积为118万㎡,1期面积为44
7万㎡(1期建筑面积为36
4万㎡);该工程名称为:三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋,建设单位为:三星(中国)半导体有限公司,工程名称:三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋,工程地址:西安市长安区兴隆街办,施工单位:三星物产建设(上海)有限公司,监理单位:陕西中建西北工程监理有限责任公司,设计单位:世源科技工程有限公司(中国电子工程设计院),工程地址:西安市长安区兴隆街办,建筑用途:生产10纳米级的NANDFLASH(闪存)
该项目主要包括;EDS栋,建筑