离子研磨机应用CrosssectionPolisher(CP)应用介绍CP用于SEM,EPMA（电子探针仪）和SAM的样品制备，它可以制备软的、硬的和复合材料的样品，损伤、污染和变形可以控制得非常小。依靠离子束轰击制备样品剖面，观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料。主要特点：CP可以一步到位地制备出镜面样品。它几乎可以适用于各种材料，包括难以抛光的软材料，如铜、铝、金、焊料和聚合物等；以及难以切割的材料，如陶瓷和玻璃等。配套的高级CCD显微镜，可以精确地把样品定位在几个微米大小的剖面位置上。制备过程中，自动控制样品摇摆，以避免产生表面划痕。由于离子束水平入射、氩离子不会渗入样品表面。主要设备在一台仪器上实现了平面和截面两种研磨方式；研磨速度快，截面研磨速度为300μm/h(Si片)；加工面积大，平面研磨最大可加工直径5mm的区域,加工速度为2μm/h；可放样品体积大，截面样品：20(W)×12(D)×7(H)mm，平面样品：Φ50×25(H)mm；平面和截面样品台拆卸方便，拆卸后可精确调整；样品台与日立所有扫描电镜通用。日立IM4000主要设备日本电子离子加速电压2∼6kV离子束直径500μm(FWHM)研磨速度100μm/H(2小时的平均值，加速电压:6kV，硅换算，边缘距离:100μm)搭载样品最大尺寸11mm（宽）×10mm（长）×2mm（厚）样品移动范围X轴±10mmY轴±10mm样品旋转角度调节范围±5º样品加工摆角±30º专利申请中)操作方法触控式面板使用气体氩气(由质量流量控制器控制流量)压力测试潘宁真空计主抽真空装置涡轮分子泵辅抽真空装置机械泵尺寸/重量主机545mm(宽)×550mm(长)×420mm(高)64kg机械泵150mm(宽)×427mm(长)×230.5mm(高)16kg选配件加速电压8kV单元、旋转样品台、高精度定位CCD相机日本电子IB-09010CP研磨方式平面研磨截面研磨研磨速度：2μm/h(入射角度：60°;偏心量：4mm)最大样品尺寸：Φ50×25(H)mm研磨速度：300μm/h(以Si片为标准，研磨厚度100μm)最大样品尺寸：20(W)×12(D)×7(H)mm测试流程夹具样品座测试流程应用举例模式：截面研磨时间：2h电压：6kV应用举例应用举例传统方法CP研磨印刷电路板切片刀片切割CP方法纸张截面观察
