15、硅突变结内建电势Vbi可表为（vbibiKTNNlnA_Dqn2i）P9,在室温下的典型值为（0.8）伏特。1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5x10i6cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（NA=1.5x1016cm-3）和（NA=1.5x1014cm-3）。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N）区指向（P）区。［发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区］dEqu3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（-dXE=戸UD）。由此方程可以看出，掺杂浓度8S越高，则内建电场的斜率越（大）。4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小）［P20］，势垒电容CT就越（大），雪崩击穿电压就越（小）。6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n与外加电压V之间的关系可表示为p（np（-Xp）=npexp（型））P18。若P型区的掺杂浓度NA=L5x1017cm-3，外加电压V=0.52V，0KTA则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n为（7.35x1025cm-3）op9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。10、PN结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（e分之一）。13、PN结扩散电流的表达式为（Jd=Jdp+Jdn=1［exp（竺）-1］）。这个表达式在正向电压下可简化0KT为（Jd=J0exp（竺）），在反向电压下可简化为（Jd=—J）。0KT14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高时，以（扩散）电流为主。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性分布）。16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。18、势垒电容反映的是PN结的（微分）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。P4419、扩散电容反映的是PN结的（非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。P5120、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡载流子）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（反向电流的抽取）和（少子自身的复合）。221、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（降低少子寿命）和（加快反向复合）。（减薄轻掺杂区的厚度）22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（雪崩击穿）、（齐纳击穿）和（热击穿）。23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（小）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（小）。24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（JrdadxT1）和（dmin=-E^足够小）。P410iqEmax25、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（从发射结刚注入基区的少子）电流之比。P67由于少子在渡越基区的过程中会发生（复合），从而使基区输运系数（小于1）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（远小于）基区少子扩散长度。26、晶体管中的少子在渡越（基区）的过程中会发生（...
