D/P线、CuI线制程知识讲师生产一部电镀组黄同彬课长电镀一.序言:电镀制程主要由四个制程组成：化学沉铜、整板电镀（CUⅠ）图形电镀（CUⅡ）蚀刻制程，起到导通孔互连，图像转移之作用二.各制程流程简介:1、化学沉铜：1.1流程简介:多层板:双面板:2.2工艺说明:目的:去除板面油脂,轻微氧化物,有机杂质,增加铜面粗糙度,提高镀层结合力刷轮材质采用尼龙刷轮,前一对为180目,后一对为320目管控重点刷磨速度:35+/-5HZ刷痕:12+/-2mm水膜:将磨刷后裸铜板完全浸入水中,以45度拿起15sec水膜不破为原则高压水流压力:清洗刷磨后板面造成的铜粉以及孔中钻屑烘干温度:95±5℃,保证清洗后的板面水份能充分烘干,防止板面氧化刷轮更换频率每月更换(约3.5m2更换)目的对钻孔时的胶渣及树脂起膨松作用，使孔内疏松易于脱落，为除钻污作准备药水管控NaOH：10-15g/l膨松剂：250-300m/l管控重点NaOH加入进须缓慢加入，否则会导致膨松剂分层NaOH含量太低，膨松效果太差NaOH含量太高，膨松剂会分层微蚀酸洗预活化活化速化化学铜速化前处理膨松除胶渣高锰中和中和前处理去脂平整前处理膨松槽目的在高温高碱环境下利用KMnO4强氧化性除去铅屑树脂，使铜环显露出来，为化学铜提供良好基体，使内外层导通药水管控KMnO4：45-70g/lNaOH：30-40g/lK2MnO4要小于20g/l除胶渣剂：80-150g/l管控重点再生机的作用：将无氧化能力的K2MnO4还原成KMnO4维持Mn7+和Mn6+的平衡，再生机需24小时开放目的去除板面油污，氧化物，指印等，清洁板表面在板面形成一层带正电的皮膜，利于板孔吸附带负电的Sn，Pd胶团药水管控TC-343：OH-0.09±0.03N管控重点去脂平整浓度偏低,除油效果差,偏高,带出损失大,泡沫多,难清洗目的为H2SO4+H2O2蚀刻掉CU基体表面2-3微米的CU层,使CU箔表面粗糙,提高结合力,最佳粗化深度为2-5微米,理想的蚀刻速度为1-1.5mm/min药水管控H2SO4:3-1%H2O2:1.25±0.25%CU2+?15g/l槽液温度:20-30℃为宜管控重点1.CU2+含量控制在15g/l以下,超过作换槽处理2.温度太高,H2O2:迅速分解,反应加剧,太低,CUSO4析出目的在绝缘的树脂孔壁吸附一层具有催化能力的钯.使基材表面具有还原铜的能力药水管控使用药水:TC-601(预活化剂)TC-602(活化剂)管控浓度:SnCL26±4g/l强度:65±35%管控重点1.槽温:生产中要求45±3℃,较长时间停线保持在38-45℃2.辅助设备:震动,摇摆机构保证药水的良好惯孔3.过滤:过滤槽液,加强药水循环,贯孔目的用速化剂或15%NaOH或1%氟硼酸辣水溶液处理1-2分钟,消除钯位周围吸附的酸盐化合物药水管控TC-901:100-120ml/l,每周换槽一次,添加标准为:600ml速化剂/500pnl管控重点药水浓度过高或时间太长,会导致吸附的钯脱溶,造成镀CU后孔壁出现空洞除胶渣去脂平整目的在高温高碱环境下利用KMnO4强氧化性除去铅屑树脂，使铜环显露出来，为化学铜提供良好基体，使内外层导通药水管控KMnO4：45-70g/lNaOH：30-40g/lK2MnO4要小于20g/l除胶渣剂：80-150g/l管控重点再生机的作用：将无氧化能力的K2MnO4还原成KMnO4维持微蚀目的在高温高碱环境下利用KMnO4强氧化性除去铅屑树脂，使铜环显露出来，为化学铜提供良好基体，使内外层导通药水管控KMnO4：45-70g/lNaOH：30-40g/lK2MnO4要小于20g/l除胶渣剂：80-150g/l管再生机的活化目的为H2SO4+H2O2蚀刻掉CU基体表面2-3微米的CU层,使CU箔表面粗糙,提高结合力,最佳粗化深度为2-5微米,理想的蚀刻速度为1-1.5mm/min药水管控H2SO4:3-1%H2O2:1.25±0.25%CU2+?15g/l槽液温度:20-30℃为宜管5.CU2+含量速化目的为H2SO4+H2O2蚀刻掉CU基体表面2-3微米的CU层,使CU箔表面粗糙,提高结合力,最佳粗化深度为2-51.3问题点解析:问题发生原因改善原因化学铜孔破1.除钻污过度,造成树脂变成海绵状,引起水洗不净和镀层脱落2.清洁调整不足,影响Pb的吸附3.活化液浓度偏低,影响活化效果4.钻孔板孔壁粗糙度过大,不利Pb的沉积5.孔内有气泡,反应过种中产生气体,无法及时送出(化学铜)1.检查Desmear工序,适当降低工层除钻污强度2.检查清洁调整工艺(如温度,浓度,时间及水洗状况)3.检查活化处理工艺及活化剂补充状况4.请钻孔改善孔壁粗糙度状况5.检查震动和摇摆机构除胶不尽1.KmnO4槽液浓度不对2.槽液中副产物增加（Mn+6）3...
