场效应管原理场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET(InsulatedGateFieldEffectTransister)之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(MetalOxideSemiconductorFET)。1.11.1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。增强型MOS(EMOS)场效应管一、工作原理1．沟道形成原理当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若0VGS(th)、VDSVGS(th)、VDS>VGS-VGS(th)限定。漏极电流表达式：2)th(GSGSoxnD)VV(l2WCI-=p在这个工作区内，ID受VGS控制。3．截止区和亚阈区VGS
