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PN结的正向电流很）；PN结的反向电第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5M0i6cm-3,贝I」室温下该区的平衡多子浓度Pp。与平衡少子浓度f。分别为（）和（）°2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带（）电荷,N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出掺杂浓度越高,贝内建电场的斜率越（）。4、PN结的掺杂浓度越高,贝势垒区的长度就越（）,内建电场的最大值就越（）,内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I。就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。5、硅突变结内建电势Vbi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度f与外加电压V之间的关系可表示为（）°若P型区的掺杂浓度NA=1.5M0i7cm-3，外加电压V二0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度入为（）9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。1。、PN结的正向电流由（电流三部）电流、（）电流和（分所组成。11、大，是因为正向电流的电荷来源是（很小，是因为反向电流的电荷来源是（）12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。13、PN结扩散电流的表达式为（）。这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流）电流为主；当电压较高时，以为主。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。16、小注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远小于该区的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。17、大注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远大于该区的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。18、势垒电容反映的是PN结的（结的）电荷随外加电压的变化率。PN外掺杂浓度越高，贝势垒电容就越（）；加反向电压越高，贝势垒电容就越（）。19、扩散电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，贝扩散电容就越（）；少子寿命越长，贝扩散电容就越（）。20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大21、222324、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（问答与计）。的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（）区中的（的消失途径有两条，）电荷。这个电荷即（）和（）。从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）。）PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越算题1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？3、什么叫突变结？什么叫单边突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN结的杂质浓度分布图、内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子浓度分布图。4、PN结势垒区的宽度与哪些因素有关？5、写出PN结反向饱和电流I。的表达式，并对影响I。的各种因素进行讨论。6、PN结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。8、在工程实际中，一般采用什么方法来计算PN结的雪崩击穿电压？9、简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。10、当把PN结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN结与理想开关相比有哪些差距？引起PN结反向恢复过...