紫外正型光刻胶及配套试剂VIP免费

紫外正型光刻胶及配套试剂一．紫外正型光刻胶开发及应用微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。在此过程中光刻工艺是IC生产的关键工艺，光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻并最终获得永久性的图形。在图形转移中需要10多次光刻才能完成。蚀刻的方式有多种，其中湿法蚀刻是应用最广、最简便的方法。而且超净高纯试剂、紫外光刻胶在电子工业的实际生产中应用最广。而光刻胶及蚀刻技术是实现微电子微细加工技术的关键。所谓光刻胶，又称光致抗蚀剂(Photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束、Ｘ—射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正型光刻胶，溶解度减小的是负型光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正型光刻胶、紫外负型光刻胶)、深紫外光刻胶、电子束胶、Ｘ—射线胶、离子束胶等。光刻胶与IC发展的关系见下表：年代86年89年92年95年98年2001年2004年2007年2010年IC集成度1M4M16M64M256M1G4G16G64G技术水平μm1.20.80.50.350.250.180.130.100.07可能采用的光刻技术ｇ线ｇ线ｉ线KrFｉ线KrFKrFKrF+RETArFArF+RETF2PXLIPLF2+RETEPLEUVIPLEBOW备注⑴ｇ线：为ｇ线光刻技术⑵ｉ线：为ｉ线光刻技术；⑶KrF：为248nm光刻技术；⑷ArF：为193nm光刻技术；⑸F2：为157nm光刻技术；⑹RET：为光网增强技术；⑺EPL：为电子投影技术；⑻PXL：近Ｘ—射线技术；⑼IPL：为离子投影技术；⑽EUV：为超紫外技术；⑾EBOW：为电子束直写技术。试剂所自70年代末80年代初开始从事紫外正、负型光刻胶及配套试剂的研究与开发工作，自“六五”以来，一直是国家重点科技攻关项目──紫外光刻胶研究项目的组长承担单位。到目前为止，已经研制成功适用于5μm、2～3μm、0.8～1.2μm工艺技术用的系列紫外正、负型光刻胶及配套试剂。其中的BN-302、BN-303、BN-308、BN-310系列紫外负型光刻胶均获得了化工部的科技进步二等奖，北京市科技进步二等奖，BN-303被评为国家级新产品；BP-212、BP-213紫外正型光刻胶获得了化工部科技进步二等奖，BP-215获得了化工部科技进步三等奖。研制开发出来的紫外光刻胶及配套试剂主要用于超大规模集成电路和分立器件微细加工过程。成果及产品的水平在国内居领先地位，其中的紫外负型光刻胶获得了国家科委颁发的国家级新产品证书。现已形成年产紫外负型光刻胶20吨、紫外正型光刻胶5吨、配套试剂100吨的规模，并正在进行更大规模的建设。二．BP系列紫外正型光刻胶品种㈠BP-212系列紫外正型光刻胶BP212系列正型光刻胶主要用于大规模集成电路的生产。该光刻胶分辨率较高、粘附性好、耐热性强、耐碱性好、抗蚀性强、工艺宽容度大。⒈性质：该光刻胶主要由感光剂、碱溶性树脂及溶剂组成。本品为透明红色粘性液体，可与醇、醚、酯类等有机溶剂混合。遇水则产生沉淀，受热和光的作用会发生分解，为可燃性液体。⒉特点：BP212系列正型光刻胶的主要应用性能（显影宽容度、留膜率、分辨率、抗蚀性、粘附性、针孔密度等）都与国外同类产品AZ1350相当，能刻出1.2微米线条的图形，感光性能好。与硅、氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属表面有很好的粘附性，抗酸性腐蚀性强。BP212-10正型光刻胶与氧化铬、亮铬、氧化铁表面有很好的粘附性和抗蚀性。⒊用途⑴BP212-10正型光刻胶适用于微电子技术中掩膜的生产、薄膜电阻的制作。适合接触、接近、投影复印及电子束曝光方式。⑵BP212-30适用于高集成度的集成电路的光刻工艺及半导体电子元件器件表面金属化的剥离技术、光学信息、光栅和精密仪器加工等工艺制作，适合各种紫外线曝光方法。㈡BP-213系列紫外正型光刻胶BP213系列正型光刻胶主要用于大规模集成电路的生产。该光刻胶分辨率较高、粘附性好、耐热性强、耐碱性好、抗蚀性强、工艺宽容度大。⒈性质：该光刻胶主要由感光剂、碱溶性树脂及溶剂...