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碎片内容
1/41某npn硅晶体管在1200℃下进行基区氧化，氧化过程为：15min干氧加45min湿氧(TH2O=95℃)再加15min干氧，求生成氧化层厚度
解：NPN管基区氧化①15分干O2：由P131表知：1200℃，B＝7
5×10-4m2/min,A=0
040m,AB=1
87×10-2m/min,BA42=42103004
0=4410301016=0
53分＝32秒
该用户很懒，什么也没介绍
