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西安电子科技大学微点子硅集成习题参考答案VIP免费

西安电子科技大学微点子硅集成习题参考答案_第1页
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1/41某npn硅晶体管在1200℃下进行基区氧化,氧化过程为:15min干氧加45min湿氧(TH2O=95℃)再加15min干氧,求生成氧化层厚度。解:NPN管基区氧化①15分干O2:由P131表知:1200℃,B=7.5×10-4m2/min,A=0.040m,AB=1.87×10-2m/min,BA42=42103004.0=4410301016=0.53分=32秒<

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