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个人收集整理-ZQ1/3单晶生长法定义：()－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了地半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成型或型地固体硅锭.％以上地单晶硅是采用法生长出来地.法特点：.低功率地主要原料..占有～％地市场..制备成本较低..硅片含氧量高.描述氧化物地生长速率，影响这种速率地参数是什么？氧化物生长速率用于描述氧化物在硅片上生长地快慢.影响他地参数有温度、压力、氧化方式(干氧或湿氧)、硅地晶向和掺杂水平.个人收集整理勿做商业用途短沟道效应（）：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重地程度.源漏两极地结将参与对位于栅极下地硅地耗尽作用，同栅极争夺对该区电荷地控制.栅长越短，被源漏两极控制地这部分电荷所占地份额比越大，直接造成域值电压随栅长地变化.个人收集整理勿做商业用途方块电阻（薄层电阻）：方块电阻地大小直接反映了扩散入硅内部地净杂质总量.:从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量.体电阻与方块电阻地关系：方块时，＝，＝.所以，只要知道了某个掺杂区域地方块电阻，就知道了整个掺杂区域地电阻值.、固溶度（）:在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相地最大浓度.、扩散定义：材料中元素分布地不均勻会导致扩散行为地进行，使得元素由浓度高处向浓度低处移动，从而产生地一种使浓度或温度趋于均匀地定向移动.个人收集整理勿做商业用途、扩散地微观机制都有哪些？给出相关扩散方式地定义及扩散杂质地种类.①间隙式扩散：杂质进入晶体后，仅占据晶格间隙，在浓度梯度作用下，从一个原子间隙到另一个相邻地原子间隙逐次跳跃前进.每前进一个晶格间距，均必须克服一定地势垒能量.势垒高度约为；间隙式扩散杂质包括,,,,,,,等，这些杂质均属于快扩散杂质.②替位式扩散：杂质进入晶体后，占据晶格原子地原子空位（空格点），在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进.每前进一步，均必须克服一定地势垒能量.替位式原子必须越过地势垒高度为约～.替位式扩散杂质包括,,,,,等，这些杂质均属于慢扩散杂质.个人收集整理勿做商业用途、扩散地宏观机制：扩散是微观粒子做无规则热运动地统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高地地方向浓度低地地方进行，而使得粒子地分布逐渐趋于均匀.扩散地原始驱动力是体系能量最小化.个人收集整理勿做商业用途、恒定表面源扩散：扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型地扩散称为恒定表面源扩散.其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布.个人收集整理勿做商业用途、有限表面源扩散：扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化.这种类型地扩散称为有限表面源扩散.其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布.个人收集整理勿做商业用途、横向扩散：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散地掩膜都是二氧化硅或氮化硅.当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：假如杂质原子沿硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散.个人收集整理勿做商业用途、简述两步扩散地含义与目地.答：第一步称为预扩散或预淀积，在较低地温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目地在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质地硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散地同时也往往进行氧化.个人收集整理勿做商业用途离子注入定义：离化后地原子在强电场地加速作用下，注射进入靶材料地表层，以改变这种材料表层地物理或化学性质.个人收集整理勿做商业用途、）射程：离子从进入靶到停止为止走过地总距离.）投影射程：射程在离子入射方向投影地个人收集整理-ZQ2/3长度.）平均投影射程：所有入射离子地投影射程地平均值.个人收集整理勿做商业用途标准偏差△：、阻止机制：材料对入射离子地阻止能量地大小用阻止机制来衡量.阻止机制表示离子在靶内受到阻止地概率.年，,首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称理论.理论认为，注入离子在靶内地能量损失分为两个彼此独立地过程：）电子阻止机制：来自原子之间地电子阻止，属于非弹性碰撞.）核阻止机制：来自原子核之间地...