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考试高分笔记基本常识：AEΦPIS光照度受光面积光通量输入光功率输出信号光电流电流灵敏度光通量-lm；照度-lx；亮度-sb；光强-cd光敏电阻-正偏，光电二极管-反偏，光电池-没有外加偏置(这里偏置可以理解为器件之外有没有添加电源，)重点简录：1、P33,量子效率，6’量子效率hvPeI//的光子数每秒入射波长为每秒产生的光电子数2、P52(5)，由禁带宽度Eg计算长波限λggEhcλλc，νEhν长波限理论值小于实际值原因：1在实际中短波更易被吸收。2随温度的升高而向短波方向移动3、P52(6)，光敏电阻，10’光电导灵敏度EGSgdpGGG(亮电导=光电导+暗电导)4、P75，光电二极管，10’Lbe)G-U(UΦSGUUG0max000)(产生的总电流=暗电流+光电流)5、P89，放大倍数，10~12’KPIIA阴极电流阳极电流n)(εεA0hve/详尽考点：Chapter2电致发光即场致发光，顾名思义，它是固体发光材料在电场激发下发光的一种现象，是将电能直接转化为光能的过程。具体过程：物质中的原子受到电子轰击，使原子中的电子获得动能，由低能态跃迁到高能态；当它由受激状态回复到正常状态时，就会发出辐射。知辐射通量求光通量：光通量=视见函数*辐射通量*Km(Km为光视效能，Km=683lm/W)例题：光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为0.2782lm(计算式：0.40730x683lm/Wx1mW)LED发光机理P22(就是电致发光)当给发光二极管的P－N结加正向电压时，外加电场将削弱内建电场，使空间电荷区变窄，载流子的扩散运动加强。由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率，因此电子由N区扩散到P区是载流子扩散运动的主体。当导带中的电子与价带中的空穴复合时，电子由高能级跃迁到低能级；电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等内光电效应：实际影响的是电压或电导，如光电池，光电二极管Chapter3P33,量子效率，6’★量子效率hvPeI//的光子数每秒入射波长为每秒产生的光电子数eI/—单位时间内被光子激励的光电子数(电流I是单位时间的电荷量)hvP/—单位时间内入射到探测器表面的光子数(功率P是单位时间的能量)—光电转换因子，上式即为光电转换定律。PPhveIPeIhv)/(噪声等效功率NEP(NoiseEqualPower)：当输出信号电流跟噪声一样大时对应的入射光功率。NEP总是越小越好(你可以这么想，噪声是越小越好的，所以‘噪声’‘等效’功率也一样。)。NEP=NSNS/IIP/UUP(S表示Signal(信号)，N表示Noise(噪声))光电导效应：入射光强改变物质导电率的物理现象。当光子能量大于禁带宽度(也因此有了长波限这个概念)，也就是电子有足够的钱过河(禁带)，价带中的电子跨过护城河(禁带)到了导带，留下老婆(空穴)，然后老婆空虚寂寞冷，离婚率(电导率)就增加了。(这个是某总打的比喻~)★由禁带宽度Eg计算长波限λggEhcλλc，νEhνP52(6)，光敏电阻，10’★光电导灵敏度EGSg(G为光电导，E为光照度，同样E、Φ、P可互换)★亮电导=光电导+暗电导，即dpGGG(可以这么记，月球本来是‘暗’的，受到‘光’照后就变亮了，成为了月‘亮’。p即photo(光)，d即dim(暗)，注意这是正偏的情况。)Chapter4P75，光电二极管，10’知识点：★Lbe)G-U(UΦSGUUG0max000)(产生的总电流=暗电流+光电流。试从几何意义上理解。)光电灵敏度暗电导结间漏电导初始电导转折电压eSGGU)(00GL－负载电导Ub－偏置电压(就是那个两杠电池符号。也就是外加电压。可以让光电二极管工作在反向偏置状态)Φmax－最大光通量（光通量Φ，光功率P，光照度E在这个问题上是等价的，题目给什么条件，就用什么来代入。）用途：当其他条件已知，上式可用于计算初始电导G0或转折电压U0。也可以求解负载电导GL与RL.(RL=1/GL)。另：1.当光通量改变时，只要将上式中的U0改为ΔU，Φmax改为ΔΦmax即：Lbe)G-(UΦSUGUGΔUΔΔΔ0(可用于计算电压改变量和电流改变量ΔU，不要告诉我说你不知道ΔI=GLΔU)2.最大线性输出负载线：过偏置电压和转折点M所做直线在第一象限的部分。也就是倾斜方向明显跟其他线段不一样...