电力电子技术复习题 1第 1 章电力电子器件I
电力电子器件一般工作在__ 开关 __ 状态
2•在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __ 通态损耗 __ ,而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__ 开关损耗 __
3•电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路 __ 、—驱动电路 _ 、—主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加—保护电路 _
4•按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件—、—双极型器件—、—复合型器件—三类
电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止 _
电力二极管的主要类型有—普通二极管 _ 、—快恢复二极管 _ 、—肖特基二极管_
肖特基二极管的开关损耗—小于—快恢复二极管的开关损耗
8•晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压贝 V 截止—
9•对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__ 大于 __ IH
10•晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM_ 大于 Ubo
逆导晶闸管是将—二极管—与晶闸管—反并联—(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件
12^GT0 的__ 多元集成— 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的
邑^MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的—截止区 _ 、前者的饱和区对应后者的—放大区 _ 、前者的非饱和区对应后者的_ 饱和区 __
电力 MOSFET 的通态电阻具有—正—温度系数
叵 IGBT 的开启电压 UGE(th)随温度升高而_ 略有下降— ，开关速度—小于—电力MOSFET
16•按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共
