电力电子技术复习题 1第 1 章电力电子器件I. 电力电子器件一般工作在__ 开关 __ 状态。2•在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __ 通态损耗 __ ,而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__ 开关损耗 __ 。3•电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路 __ 、—驱动电路 _ 、—主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加—保护电路 _ 。4•按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件—、—双极型器件—、—复合型器件—三类。5. 电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止 _ 。6. 电力二极管的主要类型有—普通二极管 _ 、—快恢复二极管 _ 、—肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗—小于—快恢复二极管的开关损耗。8•晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压贝 V 截止—。9•对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__ 大于 __ IH。10•晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM_ 大于 Ubo。II. 逆导晶闸管是将—二极管—与晶闸管—反并联—(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。12^GT0 的__ 多元集成— 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。邑^MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的—截止区 _ 、前者的饱和区对应后者的—放大区 _ 、前者的非饱和区对应后者的_ 饱和区 __ 。14.电力 MOSFET 的通态电阻具有—正—温度系数。叵 IGBT 的开启电压 UGE(th)随温度升高而_ 略有下降— ，开关速度—小于—电力MOSFET。16•按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为—电压驱动型 _ 和_ 电流驱动型— 两类。ZIGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有—负 ___ 温度系数,在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有―正___温度系数。18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GT0）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是—电力二极管 __ ,属于半控型器件的是—晶闸管 _ ,属于全控型器件的是—GT0 、 GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _ ；属于单极型电力电子器件...
