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电池片生产工艺流程VIP免费

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电池片生产工艺流程一、制绒a・目的在硅片的表面形成坑凹状表面,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。b・流程1.常规条件下,硅与单纯的 HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应。硅的氧化硝酸/亚硝酸(HN02)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚硝酸将硅氧化)Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O(慢反应)3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O(慢反应)二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚硝酸,亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅。2NO2+H2O=HNO2+HNO3(快反应)Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O(快反应)(第一步的主反应)4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反应变成亚硝酸,只要少量的一氧化氮生成,就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸,亚硝酸会很快的将硅氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与硝酸、水反应,这样一系列化学反应最终的结果是造成硅的表面被快速氧化,硝酸被还原成氮氧化物。二氧化硅的溶解SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是气体)SiF4+2HF=H2SiF6426总反应SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O2262最终反应掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。2. 清水冲洗3. 硅片经过碱液腐蚀(氢氧化钠/氢氧化钾),腐蚀掉硅片经酸液腐蚀后的多孔硅4. 硅片经 HF、HC1 冲洗,中和碱液,如不清洗硅片表面残留的碱液,在烘干后硅片的表面会有结晶5•水冲洗表面,洗掉酸液c・注意制绒后的面相对于未制绒的面来说比较暗淡d・现场图奥特斯维电池厂采用 RENA 的设备。二、扩散a・目的提供 P-N 结,POC13是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。POC13液态源扩散方法具有生产效率较高,得到 PN 结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。b・原理POCl3在高温下(>600°C)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下:>600°C5POC1/〜>3PC1+PO3525但在有外来 02存在的情况下,PC15会进一步分解成 P2O5并放出氯气(C12)其反应式如下:过量 Op 水4PC1+5O—2PO+10ClT52252在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为:4POQ+5O>2PO+6ClT32252生成的 P2O5 在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:2PO+5Si 二 5SiO+4PI252c・结论由此可见,在磷扩散时,为了促使 POC13 充分的分解和避免 PC15 对硅片表...

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