单项选择题:第 1 章 原子结构与键合1
高分子材料中的C-H 化学键属于
(A)氢键(B)离子键(C)共价键2
属于物理键的是
(A)共价键( B) 范德华力(C)离子键3
化学键中通过共用电子对形成的是
(A)共价键( B)离子键(C)金属键第 2 章 固体结构4
面心立方晶体的致密度为
(A)100% (B)68% (C)74%5
体心立方晶体的致密度为
(A)100% (B)68% (C)74%6
密排六方晶体的致密度为
(A)100% (B)68% (C)74%7
以下不具有多晶型性的金属是
(A)铜( B)锰(C)铁8
fcc 、bcc 、hcp 三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是
(A)fcc ( B) bcc (C)hcp 9
以下元素中一般与过渡金属容易形成间隙相的元素是
(A)氢( B)碳(C)硼10
与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是
(A)氮( B)碳(C)硼11
面心立方晶体的孪晶面是
(A){112} (B){110} (C){111} 12
以下属于正常价化合物的是
(A)Mg 2Pb (B)Cu5Sn (C)Fe3C 第 3 章 晶体缺陷13
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为
(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷14
原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为
(A)肖脱基缺陷(B)Frank 缺陷(C)堆垛层错15
刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是
(A)垂直(B)平行(C)交叉16
的位错线与滑移矢量必然相互平行
(A)刃型位错(B)螺型位 错(C)混合位错17
能进行攀移的位错必然是
(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错18
以下材料中只存在晶界、不存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金19
在硅、镉等晶体中可观察到这种主要的位错增殖机制
(A)交滑移增殖(