山东大学 软件 学院 组成原理实验报告 （实验）课程名称 计算机组织与结构 实 验 报 告 学生姓名： 学 号： 指导教师：陈志勇 实验地点：硬件实验室 实验时间：2 0 1 4 年1 2 月1 1 日 一、实验项目名称：RAM实验 二、实验目的： １. 了解半导体静态随机读写存储器 RAM的工作原理及其使用方法。 ２. 掌握半导体存储器的字、位扩展技术。 三、实验内容： 存储体开关（地址）隔离部件开关（数据）指示灯 RAM 实验结构图 INTEL2114 静态存储器： Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有 18 个引脚，各引脚的功能如下： A 0 -A 9 ： 10 根地址信号输入引脚。 ： 读／写控制信号输入引脚，当 为低电 平时，使输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。 I/O 1 ~ I/O 4 ： 4 根数据输入／输出信号引脚。 ：片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。 第一部分：采用 1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。 第二部分：采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。 四、实验要求： ◆采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8 的存储器。 ◆选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 ◆采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4 的存储器。 ◆必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。 ◆选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 ◆选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。 ◆分别设计实验步骤。 ◆使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM 芯片的地址范围。 五、参考器件： RAM 采用两片 MM2114 隔离部件采用 74LS125 译码器采用 74LS138 备注：为简化试验，地址可只用低 4 位（其余地址可接地）。 六、实验数据记录及结果分析： 字扩展的实验操作： 1.初始化： 将 k15（74LS125的 C信号）推至高电平，断开开关输入。 将 k13（RAM片选信号）推至低电平，选中 RAM。 将 k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。 2.写入数据： 将 k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。 将 k4~k11调整至想要的二进制输入值。 将 k15...
