山东大学 软件 学院 组成原理实验报告 (实验)课程名称 计算机组织与结构 实 验 报 告 学生姓名: 学 号: 指导教师:陈志勇 实验地点:硬件实验室 实验时间:2 0 1 4 年1 2 月1 1 日 一、实验项目名称:RAM实验 二、实验目的: 1. 了解半导体静态随机读写存储器 RAM的工作原理及其使用方法。 2. 掌握半导体存储器的字、位扩展技术。 三、实验内容: 存储体开关(地址)隔离部件开关(数据)指示灯 RAM 实验结构图 INTEL2114 静态存储器: Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片,共有 18 个引脚,各引脚的功能如下: A 0 -A 9 : 10 根地址信号输入引脚。 : 读/写控制信号输入引脚,当 为低电 平时,使输入三态门导通,信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元;反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。 I/O 1 ~ I/O 4 : 4 根数据输入/输出信号引脚。 :片选信号,低电平有效,通常接地址译码器的输出端。 第一部分:采用 1K x 4 的芯片,构成1K x 8的存储器。 第二部分:采用1K x 4 的芯片,构成2K x 4的存储器。 四、实验要求: ◆采用1K x 4 的芯片,构成1K x 8 的存储器。 ◆选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 ◆采用1K x 4 的芯片,构成2K x 4 的存储器。 ◆必须使用译码器进行扩展(三输入都用,接开关)。 ◆选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 ◆选用适当芯片,根据各种控制信号的极性和时序要求,设计出实验线路图。 ◆分别设计实验步骤。 ◆使用开关进行数据加载,通过指示灯显示实验结果,记录试验现象,写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM 芯片的地址范围。 五、参考器件: RAM 采用两片 MM2114 隔离部件采用 74LS125 译码器采用 74LS138 备注:为简化试验,地址可只用低 4 位(其余地址可接地)。 六、实验数据记录及结果分析: 字扩展的实验操作: 1.初始化: 将 k15(74LS125的 C信号)推至高电平,断开开关输入。 将 k13(RAM片选信号)推至低电平,选中 RAM。 将 k14(读写控制)推至高电平读取状态,以防选地址过程中对沿路数据进行修改。 2.写入数据: 将 k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。 将 k4~k11调整至想要的二进制输入值。 将 k15...