集肤效应在微波频率时，导体的电流密度将不会是平均分布于整个导体内部，而是在表面附近有较大的电流密度，在导体中心部分的电流密度是最小的。我们称这种现象为〝集肤效应〞。〈因为电流密度集中于表面处。〉 <<图一>>高频时的导体电流密度分布情形，大致如<<图一>>所示，由表面向中心处的电流密度逐渐减小。在此引进一个临界深度 δ〈critical depth〉的大小，此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的 1/e 倍：......(1)其中，f 为频率，μ 为导磁率〈H/m〉，ρ 为电阻率〈mho/m〉。由(1)可知，当频率愈高时，临界深度将会愈小，结果造成等效阻值上升。因此在高频时，电阻大小随着频率而变的情形，就必须加以考虑进去。IC 制作流程 整个 IC 制作的流程大概可分为电路设计〈IC design〉、晶圆加工〈wafer fabrication〉、封装〈packaging〉及测试〈test〉四大部份，其关系如下图所示： 当我们决定好对一个 IC 所要求的功能及其工作规格后，便开始着手电路设计。电路设计的主要目的在产生布局图〈layout〉，它能定义出晶圆加工制程中所需要的各层图案〈pattern〉。藉由布局图，可做成晶圆加工制程中所需要的各道光罩〈mask or reticle〉。接下来的晶圆加工制程，可以说是整个 IC 制作流程中最复杂、资金及技术最密集的一部份。这个部份就是要将上一个设计程序所设计出来的电路及电子组件，能在晶圆上加以实现。而电路上所用到的电子组件〈晶体管、电阻、电容、电感...〉及其间的联机〈interconnection〉，则必须靠各单元制程〈氧化、黄光微影、薄膜沉积、蚀刻、参杂...〉间的反复配合才能完成。光罩在此的功用在于能定义出各层薄膜的图案、组件区域，或组件间的联机情形，以达所要的电路功能及规格。所谓的〝晶圆代工〞厂，就是专门将别家公司所设计出的电路，以该公司晶圆加工制造厂〈Fab.〉现有的技术能力及仪器设备，完成其晶圆加工制程之意。晶圆加工完后的晶圆，一般会经过晶圆针测〈wafer probe〉的过程，将失败的晶粒加以标记〈ink dot〉。后将晶圆切割成一小片一小片的晶粒，好的晶粒才会送到构装〈packaging〉厂加以构装。构装的材料一般为陶瓷或塑料，而构装的目地在保护其内的晶粒不会受到外界的机械性破坏〈刮痕...〉或免于水气微尘的渗入。除此以外，它还要提供内部晶粒电极和外部电路板相连的管道〈藉由内部打线，再用 IC 外壳的 pin 和电路板接通〉。随着 IC 功能的提升，构装的散热能力和尺寸...
