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第 1 页 共 24 页《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》 （编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是UB=1.2V ，UE=0.5V ，UC=3V，该三极管处在 （）状态。A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。A. 放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性3.在 N型半导体中（）。A. 只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。A. 放大 B.饱和 C.截止 D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μ A 时，I C=1mA；而 I B=20μ A 时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V 和 -9.3V ，则该管为（）。A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：UB=2.8V ，UE=2.1V ，UC＝3.6V ，则该管处于（）状态。A. 饱和 B.截止 C.放大 D.击穿第 2 页 共 24 页10. P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。A. 大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于11. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。A. 自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素12. 三极管工作在放大区的条件是（）。A. 发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏13. 下列关于半导体的说法正确的是（）。A.P 型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D. 以上说法都是错误的14. PN 结加正向电压时，空间电荷区将( )。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.不确定15. 当温度升高时，二极管反向饱和电流将( ) A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零16. 以下电路中，可...