PECVD 单字面意思为：等离子（P)增强(E)化学气相淀积(CVD)。反应气体在设备射频（RF)作用下转变成等离子体从而进行化学反应生成需要的膜材料。相对来说反应温度较低。成膜致密性比炉管差。但效率高易维护。 你可以针对现在的工作提点相关的问题可能进步更快。 一般说来,采用 PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三 个基本过程： 首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气 体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； 其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物 之间的次级反应； 最后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生 反应，同时伴随有气相分子物的再放出。 我来个专业的原理介绍：制程气体(如SiH4，NH3，N2 等)在射频电源的作用下电离成离子；经过多次碰撞产生了大量的 SiH3-，H-等活性基；这些活性基被吸附在基板上或者取代基板表面的 H 原子；被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下在基板表面迁移，选择能量最低的点稳定下来；同时基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体中，以达到动态平衡；当原子沉积速度大于逃逸速度后就可以不断在基板表面沉积成我们所需要的薄膜了。 热电偶工作原理 热电阻是中低温区最常用的一种温度检测器。它的主要特点是测量精度高，性能稳定。其中铂热是阻的测量精确度是最高的，它不仅广泛应用于工业测温，而且被制成标准的基准仪。 与热电偶的测温原理不同的是，热电阻是基于电阻的热效应进行温度测量的，即电阻体的阻值随温度的变化而变化的特性。因此，只要测量出感温热电阻的阻值变化，就可以测量出温度。目前主要有金属热电阻和半导体热敏电阻两类。 金属热电阻的电阻值和温度一般可以用以下的近似关系式表示，即 Rt=Rt0[1+α（t-t0）] 式中，Rt 为温度 t 时的阻值；Rt0 为温度 t0（通常t0=0℃）时对应电阻值；α为温度系数。 半导体热敏电阻的阻值和温度关系为 Rt=AeB/t 式中 Rt 为温度为 t 时的阻值；A、B 取决于半导体材料的结构的常数。 相比较而言，热敏电阻的温度系数更大，常温下的电阻值更高（通常在数千欧以上），但互换性较差，非线性严重，测温范围只有-50~ 300℃左右，大量 用于家电和汽车用温度检测和控制。金属热电阻一般适用于-200~ 500℃范围内的温度测量，其特点是测量准确、稳定性好、性能可靠，在程控制中的应用极 其广泛。 热电阻...
