PIC-MCC 程序手册 1
PIC_MCC 的模拟方法和数值计算 1
1 PIC_MCC 的模拟原理 1
2 PIC 模型 1
3 MCC 模型 1
4 模拟中所涉及的放电粒子 1
5 模拟中的碰撞 2
数据分析 2
1 程序正常运行所需文件及文件意义 2
2 主要输出文件的意义 1 PIC_MCC 的模拟方法和数值计算 1
1PIC_MCC 的模拟原理 目前在计算机模拟中大量采用低压射频放电模型来模拟材料的加工及改性
但在低压情况下,粒子和中性气体的碰撞不足,无法使其达到平衡,在这种情况下我们认为放电所产生的负离子及电子的速度已经偏离了 Maxwellian 分布
因此,流体力学的模拟方法已经无法准确的解决此类问题
我们选用一种新的方法,即用运动分析的方法来解决低压等离子反应器中的物理和化学过程,用包含大量粒子的模型来解决 Boltzmann 方程
粒子模型不仅可以解决刻蚀在基板上粒子的能量问题,而且还可以很好的解决粒子刻蚀率和各向异性的问题
Monte Carlo 算法与 PIC 模拟方法的有机结合就形成了 PIC_MCC 模拟方法
在 PIC_MCC 中,我们假设中性气体是在时间与空间位置上的一种特定分布
PIC_MCC 模拟中采用的是一维空间(Zn),速度方向为三维(Vx,Vy,Vz)
2 PIC 模型 在 PIC 模型中(如图a),粒子在电场力的作用下运动
粒子模拟只能解决少量粒子存在的模型,这个模型中的粒子数量远远小于真实情况下等离子体中的粒子数目,模拟中的每个粒子即超粒子表示106—109 个粒子
在模拟中我们必须有足够多的超粒子,以减少粒子离散及噪声扰动
超粒子与所划分的网格点数之比必须大于1
在模拟中,我们主要解决Maxwell 方程以及 F=ma=q(E+v*B)
电场可以通过 Maxwall 方程解出
粒子在电场和磁场中所受的力可通过 N