专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案VIP专享VIP免费

专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案 专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》 一、（共75 题,共150 分） 1. Gordon Moore在1965 年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2 分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS 管的（）效应产生的。（2 分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS 管工作在（）区。（2 分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS 管一旦出现（）现象，此时的MOS 管将进入饱和区。（2 分） A.夹断 B.反型 C.导电 专 升 本 《 CMOS模 拟 集 成 电 路 分 析 与 设 计 》 _试 卷 _答 案 --第 1页专 升 本 《 CMOS模 拟 集 成 电 路 分 析 与 设 计 》 _试 卷 _答 案 --第 1页D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS 器件的灵敏度。（2 分） A. B. C. D. .标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS 管具有不相同的（）。（2 分） A. B. C. D. .标准答案：B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2 分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入 MOS 不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2 分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载 Casocde差分放大器 .标准答案：C 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2 分） A.制造工艺 B.器件宽长比 专 升 本 《 CMOS模 拟 集 成 电 路 分 析 与 设 计 》 _试 卷 _答 案 --第 2页专 升 本 《 CMOS模 拟 集 成 电 路 分 析 与 设 计 》 _试 卷 _答 案 --第 2页C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略 M3 的体效应。要使和严格相等， 应取为（）。（2 分） A. B. C. D. .标准答案：A 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2 分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A 12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该 电路的等效输入电阻为（）。（2 分） A. ....