1 电子科大 2 0 0 5 －2 0 0 6 年第一学期 一、选择填空（含多选题）（1 8 分） 1、重空穴是指（ C ） A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ） A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C ）。 A、各处出现的几率相同 B、各处的相位相同 C、各元胞对应点出现的几率相同 D、各元胞对应点的相位相同 4、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A、不含杂质与缺陷； B、电子密度与空穴密度相等； C、电阻率最高； C、电子密度与本征载流子密度相等。 5、简并半导体是指（ A ）的半导体 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 6、当Au掺入Si 中时，它引入的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的是（ C ）的作用；当B 掺入Si 中时，它引入的杂质能级是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用。 A、施主 B、受主 C、深 D、浅 7、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 8、3个硅样品的掺杂情况如下： 甲．含镓 1×1017cm-3；乙.含硼和磷各 1×1017cm-3；丙.含铝 1×1015cm-3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以 EV为基准）的顺序是( B ) A.甲乙丙； B.甲丙乙； C.乙丙甲； D.丙甲乙 9、以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（ B ）。 A、平方成正比； B、3/2次方成反比； C、平方成反比； D、1/2次方成正比； 10、公式*/qm中的 是载流子的（ C ）。 A、散射时间； B 、寿命； 2 C、平均自由时间； C、扩散系数。 11、对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（ A ） A. 无关； B. 成正比； C. 成反比； D. 的平方成反比 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A、Wms=0 B、Wms＜0 C、Wms＞0 D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、在 MIS结构的...
