一、RAM 的一般结构和读写过程 1.RAM 的一般结构它由三部分电路组成: 1)行、列地址译码器:它是一个二进制译码器,将地址码翻译成行列对应的具体地址,然后去选通该地址的存储单元,对该单元中的信息进行读出操作或进行写入新的信息操作。 例如:一个10 位的地址码A4A3A2A1A0=00101,B4B3B2B1B0=00011 时,则将对应于第5 行第3 列的存储单元被选中。 2)存储体:它是存放大量二进制信息的“仓库”,该仓库由成千上万个存储单元组成。而每个存储单元存放着一个二进制字信息,二进制字可能是一位的,也可能多位。 存储体或RAM 的容量:存储单元的个数*每个存储单元中数据的位数。 例如,一个10 位地址的RAM,共有210 个存储单元,若每个存储单元存放一位二进制信息,则该RAM 的容量就是210(字)×1(位)=1024 字位,通常称 1K 字位(容量)。 3)I/O 及读/写控制电路:该部分电路决定着存储器是进行读出信息操作还是写入新信息操作。输入/输出缓冲器起数据的锁存作用,通常采用三态输出的电路结构。因此,RAM 可以与其它的外面电路相连接,实现信息的双向传输(即可输入,也可输出),使信息的交换和传递十分方便。 2.RAM 的读出信息和写入新信息过程(读/写过程):时序 访问某地址单元的地址码有效,假如你想去访问的具体地址:如A9~A0=0D3H=0011010011B,片选有效=0,选中该片RAM 为工作状态。读/写操作有效:=1,读出信息;=0,写入信息; 二、RAM 中的存储单元 按照数据存取的方式不同,RAM 中的存储单元分为两种:静态存储单元—静态RAM(SRAM);动态存储单元—动态RAM(DRAM)。 1.静态存储单元(SRAM):它由电源来维持信息,如触发器,寄存器等。 静态存储单元(SRAM)的典型结构: T5、T6、T7、T8 都是门控管,只要栅极高电平,这些管子就工作在可变电阻区,当作开关。 其中,存储单元通过T5、T6 和数据线(位线)相连;数据线又通过T7、T8 和再经输入/输出缓冲电路和输入/输出线相连接,以实现信息的传递和交换。写入信息的操作过程,在第一次写入信息之前,存储单元中的信息是随机信息。 假定要写入信息“1”: 1)地址码加入,地址有效后,相对应的行选线X 和列选线Y 都为高电平,T5、T6、T7、T8 导电; 2)片选信号有效(低电平); 3)写入信号有效,这时三态门G2、G3 为工作态,G1 输出高阻态,信息“1”经G2、T7、T5 达到 Q 端;经G3 反相后信息“0”经T8、T6 达到。T4 导电,T3 截止,显然,信息...