1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2.acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子 3.Acid：酸 4.Active device：有源器件，如 MOS FET（非线性，能够对信号放大） 5.Align mark(key)：对位标记 6.Alloy：合金 7.Aluminum：铝 8.Ammonia：氨水 9.Ammonium fluoride：NH4F 10. Ammonium hydroxide：NH4OH 11. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 12. Analog：模拟的 13. Angstrom：A（1E-10m）埃 14. Anisotropic：各向异性（如 POLY ETCH） 15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量原则，在一定采样下，能够 95%置信度通过质量原则（不同于可靠性，可靠性规定一定时间后的失效率） 16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于 METAL 等层的光刻） 17. Argon(Ar)氩 18. Arsenic(As)砷 19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 20. Arsine(AsH3) 21. Asher：去胶机 22. Aspect ration：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比） 23. Autodoping：自搀杂（外延时 SUB 的浓度高，造成有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 24. Back end：后段（CONTACT 后来、PCM 测试前） 25. Baseline：原则流程 26. Benchmark：基准 27. Bipolar：双极 28. Boat：扩散用（石英）舟 29. CD： （Critical Dimension）临界（核心）尺寸。在工艺上普通指条宽，例如 POLY CD 为多晶条宽。 30. Character window：特性窗口。用文字或数字描述的包含工艺全部特性的一种方形区域。 31. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的办法。 32. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反映生成一层薄膜的工艺。 33. Chip：碎片或芯片。 34. CIM：computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 35. Circuit design ：电路设计。一种将多个元器件连接起来实现一定功效的技术。 36. Cleanroom：一种在温度，湿度和干净度方面都需要满足某些特殊规定的特定区域。 37. Compensation doping：赔偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。 38. CMOS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一种硅衬底上混合制造的工艺。 39. Computer-aided de...
