1．LGS：LGS 的SDRAM 芯片上的标识； GM72V*****1**T** GM 为LGS 产品； 72 为SDRAM； 第1，2 个*代表容量，16 为16Mbit，66 为64Mbit； 第3，4 个*代表数据位宽，一般为4，8，16 等，不补 0； 第5 个*代表bank，2 代表2 个，4 代表4 个； 第6 个*代表是第几个版本的内核； 第7 个*如果是 L 就代表低功耗，空白为普通； “T”为TSOP II 封装；“I”为BLP 封装； 最后的**代表速度： 7：7ns(143MHz) 7：7.5ns(133MHz) 8：8ns(125MHz) 7K：10ns(PC100 CL2&3) 7J：10ns(PC100 CL3) 10K：10ns(100MHz) 12：12ns(83MHz) 15：15ns(66MHz) 2．Hyundai：现代的SDRAM 芯片的标识 HY5*************-** HY 为现代产品， 5*表示芯片类型，57 为SDRAM，5D 为DDR SDRAM； 第2 个*代表工作电压，空白为5 伏，“V”为3；3 伏，“U”为2；5 伏； 第3-5 个*代表容量和刷新速度： 16：16Mbit，4k Ref 64：64Mbit，8k Ref 65：64Mbit，4k Ref 128：128Mbit，8k Ref 129：128Mbit，4k Ref 256：256Mbit，16k Ref 257：256Mbit，8K Ref 第6，7 个*代表数据位宽，40，80，16，32 分别代表4 位，8 位，16 位和 32 位； 第8 个*代表bank，1，2，3 分别为2，4，8 个bank； 第9 个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口； 第10 个*可为空白或 A，B，C，D 等，代表内核，越往后越新； 第11 个*如为L 则为低功耗，空白为普通； 第12，13 个*代表封装形式； 最后几位为速度： 7：7ns(143MHz) 8：8ns(133MHz) 10P：10ns(PC100 CL2/3) 10S：10ns(Pc100 CL3) 10：10ns(100MHz) 12：12ns(83MHz) 15：15ns(66MHz) 3．Micron： Micron 的SDRAM 芯片的标识； MT48****M**A*TG-*** MT 为Micron 的产品； 48 代表SDRAM，其后的**如为LC 则为普通SDRAM； M 后的**表示数据的位宽；4，8，16，32 分别代表4 位，8 位，16 位和32 位； Micron 的容量要自己算一下，将M 前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量； A*代表write recovery（tWR），如A2 表示tWR=2clk TG 为TSOP II 封装，LG 为TGFP 封装； 最后的**代表速度： 7：7ns(143MHz) 75：7.5ns(133MHz) 8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好； 10：10ns(100MHz CL=3)； 例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8 位。 如何根据内存芯片标识识别内存(二) ---- 许多朋...
