第 六 章 存 储 器 系 统 本 章 主 要 讨 论 内 存 储 器 系 统 ，在 介 绍 三 类 典 型 的 半 导 体 存 储 器 芯 片 的 结 构 原 理 与 工 作 特性 的 基 础 上 ， 着 重 讲 述 半 导 体 存 储 器 芯 片 与 微 处 理 器 的 接 口 技 术 。 6.1 重 点 与 难 点 本 章 的 学 习 重 点 是 8088 的 存 储 器 组 织 ； 存 储 芯 片 的 片 选 方 法 （ 全 译 码 、 部 分 译 码 、 线选 ）； 存 储 器 的 扩 展 方 法 （ 位 扩 展 、 字 节 容 量 扩 展 ）。 主 要 掌 握 的 知 识 要 点 如 下 ： 6.1.1 半 导 体 存 储 器 的 基 本 知 识 1.SRAM、 DRAM、 EPROM 和 ROM 的 区 别 RAM 的 特 点 是 存 储 器 中 信 息 能 读 能 写 ， 且 对 存 储 器 中 任 一 存 储 单 元 进 行 读 写 操 作 所 需 时间 基 本 上 是 一 样 的 ， RAM 中 信 息 在 关 机 后 立 即 消 失 。 根 据 是 否 采 用 刷 新 技 术 ， 又 可 分 为 静 态RAM（ SRAM） 和 动 态 RAM（ DRAM） 两种。 SRAM 是 利用 半 导 体 触发器 的 两个稳定状态 表示“1”和 “0”； DRAM 是 利用 MOS 管的 栅极对 其衬间 的 分 布电容 来保存 信 息 ， 以存 储 电荷的 多少，即 电容 端电压的 高低来表示“1”和 “0”； ROM 的 特 点 是 用 户在 使用 时 只能 读 出其中 信 息 ，不能 修改和 写 入新 的 信 息 ； EPROM 可 由用 户自行 写 入程序和 数据 ， 写 入后 的 内 容 可 由紫外线照射擦除，然后 再重 新 写 入新 的 内 容 ， EPROM 可 多次擦除， 多次写 入。 一 般工 作 条件下 ， EPROM是 只读 的 。 2.导 体 存 储 器 芯 片 的 主 要 性 能 指标 （ 1） 存 储 容 量 ： 存 储 容 量 是 指存 储 器 可 以容 纳的 二进 制信 息 量 ， 以存 储 单 元 的 总位 数表示， 通常也用 存 储 器 的 地址寄存 器 的 编址数与 存 储 字 位 数的 乘积来表示。 （ 2） 存 储 速度： 有关 存 储 器 的 存 储 速度主 要 有两个时 间 参数： TA： 访问...
