模拟电子技术随堂练习第 1 章 常用半导体器件1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。A.带负电B.带正电 C.不带电参考答案： C2. 将 PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。A.变窄 B.变宽 C.不变参考答案： B3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。A.增大 B.不变 C.减小参考答案： C4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV 时，输出电压最大值为10V的电路是 ()。参考答案： C5. 电路如图所示， D1，D2 均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sin ω tV,则输出电压 uO 应为 ( )。A.最大值为 40V，最小值为 0V B.最大值为 40V，最小值为 +10V C.最大值为 10V，最小值为－ 40V D.最大值为 10V，最小值为 0V参考答案： D6. 稳压管的动态电阻rZ 是指()。A.稳定电压与相应电流 IZ 之比B.稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案： B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。管的集电极管的发射极管的发射极管的基极参考答案： B8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=，VB=，VC=5V，则该管类型为 ( )。型锗管 型锗管型硅管 型硅管参考答案： A第 2 章基本放大电路1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。A.反向 B.近似等于零C.不变 D.增大参考答案： B2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案： C3. 晶体管的电流放大系数是指 ()。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案： B4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe 等于()。A.B.C.参考答案： B5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在()。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案： B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为()。沟道耗尽型 MOS管沟道增强型 MOS管沟道增强型 MOS管沟道耗尽型 MOS管参考答案： B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为()。B.＋2V C.－2V D.－1V 参考答案： C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导 gm 约为 (...
