模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9 第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴
2、 在 N 型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在 P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变宽
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大 ___区、 __截止 ________区
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管 ___________，另一类称为 __ 绝缘栅场效应管 _______
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法 _______或_反向偏置 _________
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起 ___整流____和___检波 ____等作用
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和 __PNP_____型两种，它们的符号分别为 _______和________
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的 ___漂移 _____运动
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为
11、晶体管穿透电流CEOI是反向饱和电流CBOI的___1+β _______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBOI尽量 ___小_______
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导 _mg______
13、PN 结具有 __单向导电 _______特性
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是 ___集电结 ____和_发射结 ______
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向 ________偏置，集电路______反向_______
