MOS 管开关 现在常用的MOS 管大多是N 沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。另外现在的MOS 管已经不像早期那样脆弱，因为 SD 上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。MOS 管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is 以及 Ron，其中对于 Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为 Vgs就是因为这个电压必须相对于 S 级而言，也就是G 极必须比 S 极高出一定的电压才能驱动 MOS 管，否则管子的导通电阻会很大，也就是管子不能导通。比如 Vgs 耐压在12V 左右的管子，当 Vgs高于 1.5V 以上时就基本可以认为导通，一般4-5V 就可以达到其最小 Ron 了。但是，由于这个电压是基于 S 极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让 Vgs高于 Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。自举电容根据使用情况的不同，可以选用极性电容，也可以选择非极性电容。在选择这个电容时，如果电容很小，则电容储能不够，放电很快，开关管很难被有效打开或关闭；如果电容过大，也会导致开关速度受限，电路板面积也会增加。所以，电容要根据开关管工作速度适当选取，一般将电容值选择在放电时间稍长与开关周期即可，具体的参数可以根据实验来确定。 相对与 N 沟道的MOS 管，P 沟道的管子在驱动起来就稍微容易一些，因为不必再去创造高于电源电压的驱动环境，使用一个简单的三极管调压电路就可以实现了 使用MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对 MOSFET 及 MOSFET 驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括 MOS 管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS 管种类和结构 MOSFET 管是FET 的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或 N沟道共 4 种类型，但实际应用的只有增强型的N 沟道MOS 管和增强型的P 沟道MOS 管，所以通常提到NMOS，或者 PMOS 指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的...
