利用MOSFET 管自举升压驱动电路MOS 管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS 驱动，有几个特别的需求，1，低压应用当使用5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be 有0.7V 左右的压降，导致实际最终加在gate 上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称 gate 电压4.5V 的MOS 管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V 或者其他低压电源的场合。2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱动电压是不稳定的。为了让 MOS 管在高 gate 电压下安全，很多 MOS 管内置了稳压管强行限制 gate 电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS 管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V 或者 3.3V 数字电压，而功率部分使用12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS 管也同样会面对1 和2 中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS 驱动 IC，似乎也没有包含 gate 电压限制的结构。于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。电路图如下：图 1 用于 NMOS 的驱动电路图 2 用于 PMOS 的驱动电路这里我只针对NMOS 驱动电路做一个简单分析：Vl 和Vh 分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是 Vl 不应该超过 Vh。Q1 和Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3 和Q4 不会同时导通。R2 和 R3 提 供 了 PWM 电 压 基 准 ， 通 过 改 变 这 个 基 准 ， 可 以 让 电 路工 作 在 PWM 信 号 波 形 比 较 陡 直 的 位 置 。Q3 和 Q4 用 来 提 供 驱 动 电 流 ， 由 于 导 通 的 时 候 ， Q3 和 Q4 相 对 Vh和 GND 最 低 都 只 有 一 个 Vce 的 压 降 ， 这 个 压 降 通 常 只 有 0.3V 左 右 ，大 大 低 于 0.7V 的 Vce。R...
