下载后可任意编辑1.分别简述 RVD 和 GILD 的原理, 它们的优缺点及应用方向。快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping) 利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度, 同时掺杂剂发生反应产生杂质原子, 杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态, 然后进行固相扩散, 完成掺杂目的。同普通扩散炉中的掺杂不同, 快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层; 同离子注入相比(特别是在浅结的应用上), RVD 技术的潜在优势是: 它并不受注入所带来的一些效应的影响; 对于选择扩散来说, 采纳快速气相掺杂工艺仍需要掩膜。另外, 快速气相掺杂依旧要在较高的温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式, 类似固态扩散, 其峰值处于表面处。气体浸没激光掺杂(GILD: Gas Immersion Laser Doping) 用准分子激光器(308nm) 产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光, 照射处于气态源中的硅表面; 硅表面因吸收能量而变为液体层; 同时气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子; 经过液相扩散, 杂质原子进入这个很薄的液体层, 溶解在液体层中的杂质扩散速度比在固体中高八个数量级以上, 因而杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。当激光照射停止后, 已经掺有杂质的液体层经过固相外延转变为固态结晶体。由液体变为固态结晶体的速度非常快。在结晶的同时, 杂质也进入激活的晶格位置, 不需要近一步退火过程, 而且掺杂只发生在表面的一薄层内。由于硅表面受高能激光照射的时间很短, 而且能量又几乎都被表面吸收, 硅体内仍处于低温状态, 不会发生扩散现象, 体内的杂质分布没有受到任何扰动。硅表面溶化层的深度由激光束的能量和脉冲时间所决定。因此, 可根据需要控制激光能量密度和脉冲时间达到控制掺杂深度的目的。2.集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺? 各有什么优缺点? 下载后可任意编辑扩散工艺分类: 按原始杂质源在室温下的相态分类, 可分为固态源扩散, 液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散(1). 开管扩散 优点: 开管扩散的重复性和稳定性都很好。(2). 箱法扩散 优点; 箱法扩散的硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定, 均匀性较好。 (3). 涂源法扩散 缺点: 这种扩散方法的表面浓度很难控制, 而且又不均匀。(4). 杂质源也能够采纳化学气相淀积法淀积, 这种方法的均匀性、 重复性都很好, 还能够把片子排列很密, 从而提...
