下载后可任意编辑1. N 型半导体的多数载流子是电子, 因此它应( )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 2. 将 PN 结加适当的反向电压, 则空间电荷区将( )。 A.变窄 B.变宽 C.不变 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A.增大 B.不变 C.减小 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 4. 电路如图所示, 设全部二极管均为理想元件, 当输入电压 ui=10sin tV 时, 输出电压最大值为 10V的电路是( )。 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 5. 电路如图所示, D1, D2 均为理想二极管, 设 U1=10V, ui=40sinωtV,则输出电压 uO 应为( )。 A.最大值为 40V, 最小值为 0V B.最大值为 40V, 最小值为+10V C.最大值为 10V, 最小值为－40V D.最大值为 10V, 最小值为 0V 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 6. 稳压管的动态电阻 rZ 是指( )。A.稳定电压与相应电流 IZ 之比B.稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 7. 在放大电路中的晶体管, 其电位最高的一个电极是( )。下载后可任意编辑 A.PNP 管的集电极 B.PNP 管的发射极 C.NPN 管的发射极 D.NPN 管的基极 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 VE=-1.7V, VB=-1.4V, VC=5V, 则该管类型为( )。 A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 1. 假如改变晶体管基极电压的极性, 使发射结由正偏导通改为反偏, 则集电极电流( )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 2. 晶体管处于饱和状态时, 集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏, 集电结正偏 B.发射结、 集电结均反偏 C.发射结、 集电结均正偏 D.发射结正偏、 集电结反偏 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 3. 晶体管的电流放大系数 是指( )。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 4. 低频小功率晶体管的输入电阻 rbe 等于( )。A. B. C. 答题: A. B. C. D. ( 已提交) 5. 某电路如下图所示, 晶体管集电极接有电阻 RC, 根据...
