1．第 1 题影响多级放大器低频特性的原因是（ ）。A.极间耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.02．第 2 题二极管两端电压大于（ ）时，二极管才导通。A.击穿电压B.死区电压C.饱和电压D.放大电压您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.03．第 3 题硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。A.大B..小C.相等D.无法判定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.04．第 4 题测某放大电路中三极管各极电位分别是 0V、-6V、0.2V，则三极管的三个电极分别是（）。A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.05．第 5 题稳压二极管在正常稳压工作时是处于（ ）工作区间。A.正向导通B.反向击穿C.反向截止D.正向死区您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.06．第 6 题OCL 功率放大电路如图示，T2、R1、R2 的作用是（ ）。A.充当 T1 的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.07．第 7 题图示电路为（ ）电路A.甲乙类 OCLB.甲乙类 OTLC.乙类 OCLD.甲类您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.08．第 8 题硅二极管的死区电压是（ ）。A.0.1~0.2VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.09．第 9 题当 PN 结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变窄。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.010．第 10 题当 PN 结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变宽。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.011．第 11 题当 PN 结外加正向电压时，内外电场方向（ ）。A.相反B.相同C.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.012．第 12 题在本征半导体中掺入 5 价元素就成为（ ）型半导体。A.P 型半导体B.N 型半导体C.PN 结D.纯净半导体您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.013．第 13 题N 型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。A.3B.4C.5D.6您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.014．第 14 题测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V、6V、2.7V，则三极管的三个电极分别是（ ）。A.（B、C、E）B.（C、B、E）C.（E、C、B）D.（B、E、C）您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.015．第 15 题测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V...
