半导体物理学期末复习试题及答案三

一、名词解释1一、选择题。1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（A），电离后向半导体提供电子的杂质是（B）。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质2. 在室温下，半导体 Si 中掺入浓度为1014cm3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（C），多子浓度为（D），费米能级的位置（G）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.11015cm3的硼杂质，半导体中多数载流子是（B），多子浓度为（E），费米能级的位置（H）；如果，此时温度从室温升高至550K ，则杂质半导体费米能级的位置（I）。（已知：室温下，ni  1010 cm 3；550K 时，ni  1017 cm 3）A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子D. 1014cm3 E. 1015cm3 F. 1.11015cm3G. 高于 Ei H. 低于 Ei I. 等于 Ei3. 在室温下，对于 n 型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽度（B），电子浓度和空穴浓度的乘积n0 p0（D）ni2，功函数（C）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘积 np （E） ni2。A. 增加 B. 不变 C. 减小D. 等于 E. 不等于 F. 不确定4. 导带底的电子是(C)。页脚内容8一、名词解释1A. 带正电的有效质量为正的粒子B. 带正电的有效质量为负的准粒子C. 带负电的有效质量为正的粒子D. 带负电的有效质量为负的准粒子5. P 型半导体 MIS 结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（B）。在如图所示 MIS 结构的 C-V 特性图中，代表去强反型的（G）。A. 相同 B. 不同C. 无关 D. AB 段E. CD 段 F. DE 段G. EF 和 GH 段6. P 型半导体发生强反型的条件（B）。A. VS C. VS 2k0T NA k0T NA lnV ln B.S nq nqi i k0T ND 2k0T ND lnV ln D.Sq ni q ni 7. 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（B）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（A）电流。A. 漂移 B. 扩散 C. 热运动8. 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB 段电阻率随温度升高而下降的原因是（A）。A. 杂质电离和电离杂质散射B. 本征激发和晶格散射页脚内容8一、名词解释1C. 晶格散射D. 本征激发二、判断题。判断下列叙述是否正确，正确的在括号中打“√”，错误的打“X”。1. 与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（√）2....