单 晶 硅 片 的 技 术 标 准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法 F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右 6mm 处 4 点和中心点）；位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。密集型线痕：每 1cm 上可视线痕的条数超过 5 条4 分类单晶硅片的等级有 A 级品和 B 级品，规格为：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。5 技术要求外观见附录表格中检验要求。外形尺寸方片 TV 为 200±20 um,测试点为中心点；方片 TTV 小于 30um，测试点为边缘 6mm 处 4 点、中心 1 点；硅片 TTV 以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15%；相邻 C 段的垂直度：90o±；其他尺寸要求见表 1。表 1 单晶硅片尺寸要求尺寸（mm）规格A（边长）B（直径） C（直线段长）（mm）影）Max.Min.Max.Min.Max.Min. Max.Min.D（弧长投125′125Ⅰ125′125Ⅱ156′156注 1：A、B、C、D 分别参见图 1。图 1 硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型：序号12硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为 2mm 样片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°；位错密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。硅片类型N 型P 型掺杂剂磷(Phosphorous)硼(Boron)6 检测环境、检测设备和检测方法检测环境：室温，有良好照明（光照度≥1000Lux）。检测设备：游标卡尺（）、厚度测...
