发光二极管简介第一章:LED原理简介发光二极管特性发光二极管简称LED(LightEmittingDiode)LED优点重量轻,体积小寿命比灯泡长十倍以上耗电量比灯泡低1/3以上点灯速度快色彩鲜明,辨识性优耐震动半导体概述导电性介于导体与绝缘体之间电阻因温度或掺质浓度而改变半导体以自由电子或空穴为导电载子P型半导体以空穴导电N型半导体以自由电子导电例如Si,Ge等材料半导体原子间键结原子核最外层电子数达到8个时最稳定例如,Si原子最外层有四个电子,当数个Si原子间键结时,则外层达到8个电子而形成稳定状态化合物半导体化合物半导体(CompoundSemiconductor)由周期表不同族元素形成之化合物例如:II-VI,III-V及,IV-IV族化合物III-V族化合物:光电半导体业最广泛应用之材料例如:III族元素Al,Ga,In及V族元素N,P,As容易形成如GaN,GaAs,GaP,InP等「二元化合物」三元化合物:由三个元素形成之化合物例如:AlGaAs(III,III,V)及GaAsP(III,V,V)三族及五族总莫耳数比需为1:1AlxGa1-xAs=xAlAs+(1-x)GaAsGaAsYP1-Y=YGaP+(1-Y)GaAs四元化合物:由四个元素形成之化合物例如:AlGaInP(四元高亮度LED主要发光材质)Al1-X-YGaXInYP=(1-X-Y)AlP+XGaP+YInP导电载子种类主要导电载子为电子及空穴半导体因温度(加热)或外加电场(通电)使外层电子脱离原子核束缚电子脱离原子核后,原来的空位则形成空穴温度电场电子空穴电子及空穴电子带负电,空穴带正电电子与空穴移动方向相反空穴向左移动电子向右移动半导体内有许多电子与空穴移动,电子寻找空穴之位置填补空位电子位置A空穴位置BP型及N型半导体P型半导体(主要导电载子为空穴)N型半导体(主要导电载子为电子)费米Level:导电载子占住此能阶之机率密度为1/2导电带价电带P型能阶图空穴能阶电子费米LevelN型能阶图费米LevelPN型接合面(PNjunction)P型与N型半导体材料接合时,两者费米level会重叠接合P型能阶图N型能阶图PN型接合面(PNjunction)P型与N型半导体材料接合时,两者费米level会重叠P型材料N型材料PN接合面费米Level能障Eg电子及空穴需越过能障才通过接合面接合面顺向偏压顺向偏压为P型材料接正极,N型材料接负极顺向偏压可降低接合面之能障,使电子及电洞愈容易通过PN接合面P型N型EcEvPN+_顺向偏压VFVFEgV=Eg-VFV逆向偏压逆向偏压为P型材料接负极,N型材料接正极逆向偏压将增加接合面之能障,使电子及电洞愈难通过PN接合面P型N型EcEv+PN_逆向偏压VRVVREgV=Eg+VR发光二极管P型与N型半导体材料接合时则形成一般的二极管二极管具有单向导电功能通顺向偏压降低接合面能障,可使二极管导电导电时,二极管P侧空穴与N侧电子通过接合面,造成电子与空穴于接合面结合空穴与电子之结合时,会以光或热的形式释出能量以光形式释出能量者称为发光二极管LED发光原理电子与空穴之复合能阶之跃迁导电带价电带动量能量直接能隙导电带价电带动量能量间接能隙发光波长(nm)=12400Eg(eV)颜色区别波长与颜色的关系光依人眼可察觉程度可区分为可见光:波长介于760nm与380nm不可见光:波长大于760nm或小于380nm波长愈短能量愈高红外紫外700650550450400380760LED产品应用三、交通号志四、白光照明•第三剎车灯•方向灯•仪表显示灯一、汽车•尾灯二、通讯•背光源•讯号灯•无线传输五、显示元件•全彩广告牌•数字显示板•跑马灯LED产品类别外延片(EpiWafer)GaN(氮化镓)GaAs(砷化镓)GaP(磷化镓)芯片(Chip)传统低亮度黄绿光芯片(GaP)四元高亮度红光芯片(AlGaInP)蓝光芯片(GaN)封装传统灯泡(Lamp)表面黏着型(SMD)显示型:如点矩阵型、数字字符型及集束型上游中游下游LED外延片产品规格外延片基本结构:外延层材质、厚度及浓度发光材质:GaP,AlGaInP,GaN尺寸:2“,3”颜色:红,黄,黄绿,蓝,绿顺向偏压(ForwardVoltage):____V逆向漏电流:____μA@5V亮度(LuminousIntensity):____mcd@20mA波长(DominantWavelength):____nm半波宽(FWHM):____nm波长强度LED芯片产品规格芯片发光材质:GaP,AlGaInP,GaN尺寸...