发光二极管简介第一章:LED原理简介发光二极管特性发光二极管简称LED(LightEmittingDiode)LED优点重量轻,体积小寿命比灯泡长十倍以上耗电量比灯泡低1/3以上点灯速度快色彩鲜明,辨识性优耐震动半导体概述导电性介于导体与绝缘体之间电阻因温度或掺质浓度而改变半导体以自由电子或空穴为导电载子P型半导体以空穴导电N型半导体以自由电子导电例如Si,Ge等材料半导体原子间键结原子核最外层电子数达到8个时最稳定例如,Si原子最外层有四个电子,当数个Si原子间键结时,则外层达到8个电子而形成稳定状态化合物半导体化合物半导体(CompoundSemiconductor)由周期表不同族元素形成之化合物例如:II-VI,III-V及,IV-IV族化合物III-V族化合物:光电半导体业最广泛应用之材料例如:III族元素Al,Ga,In及V族元素N,P,As容易形成如GaN,GaAs,GaP,InP等「二元化合物」三元化合物:由三个元素形成之化合物例如:AlGaAs(III,III,V)及GaAsP(III,V,V)三族及五族总莫耳数比需为1:1AlxGa1-xAs=xAlAs+(1-x)GaAsGaAsYP1-Y=YGaP+(1-Y)GaAs四元化合物:由四个元素形成之化合物例如:AlGaInP(四元高亮度LED主要发光材质)Al1-X-YGaXInYP=(1-X-Y)AlP+XGaP+YInP导电载子种类主要导电载子为电子及空穴半导体因温度(加热)或外加电场(通电)使外层电子脱离原子核束缚电子脱离原子核后,原来的空位则形成空穴温度电场电子空穴电子及空穴电子带负电,空穴带正电电子与空穴移动方向相反空穴向左移动电子向右移动半导体内有许多电子与空穴移动,电子寻找空穴之位置填补空位电子位置A空穴位置BP型及N型半导体P型半