FUCK INVT 文件编号： RD09-APP-010 CBB 规范 HCPL3120 驱动IGBT 电路 (VER:V1.0) 拟制： 时间： 2009-7-17 批准： 时间： 2009-7-17 文件评优级别： □A 优秀 □B 良好 □C 一般 FUCK INVT FUCK INVT 1 功能介绍 该电路的功能为HCPL3120 驱动小功率IGBT。 2 详细原理图 GV+VGND+V-VPV-PV+GV--L+LGNC21nR118-1/3WR27.5KZ116V13Z216V13PC1HCPL312023145678R5150C50.1uC1330PR318-1/3WR47.5KC60.1uC3330PZ316V13R6150PC2HCPL312023145678R810kR710kC41nZ416V13 原边输入信号：PV+与PV- 光耦HCPL3120 输入信号PV+和PV-，该信号为同一相上下桥的驱动信号，两个信号以差动方式输入光耦，该方式可以避免驱动信号在出错或干扰时出现上下桥同时导通——直通。该信号为0～5V 的电平信号。 副边电源： +V 对 VGND 电压为：＋15V -V 对 VGND 电压为： -10V +L 对 GN 电压为：＋15V -L 对 GN 电压为： -10V 副边输出信号： 信号GV+为IGBT 的门极关断与驱动信号。该信号为－10V～+15V 的电平信号。 当原边光耦正向导通时，+V 经过电阻 R1 对 IGBT 门极充电,+10V 以后 IGBT 导通。为保证完全可靠导通，减去三极管饱和压降，GV＋=15-0.3＝14.7V。 当原边光耦反向截止时，－V 经过电阻 R1 对 IGBT 门极放电,-5V 以后 IGBT 关断。为保证完全可靠关断，－V=－10＋0.2=－9.8V。 其中 R1，R3 是一个调节开通与关断速度的电阻，其值的大小影响 IGBT 的开关损耗，由于过硬与过软的关断都会影响 IGBT 的使用寿命，关断时间过长将造成上下桥臂因控制电路上设置的延迟时间不够而短路，反之，开关时间过短，则电流变化率很大，引起很大的尖峰电压 Ldi/dt，并叠加在IGBT 的C、E 间，同时过快的关断速度会造成很大的du /dt，经过 C、G 间寄生反馈电容 Cres 的作用，易造成 IGBT 误导通。在实际应用中，FUCK INVT 可根据示波器关断的波形来调节其值。 门极并联1nF电容和反串的16V 稳压二极管，限制大电流关断时门极电压过冲，并联7.5K电阻，对门极电荷泄放。 副边输入信号： 驱动电路采用上下桥互锁，采用3120，最大输出电流2A，光藕并联330PF 电容抗干扰，串联电阻选择300 欧姆，保证光藕有10mA 电流，可靠开通。 HCPL3120 内部结构图： 驱动输入电路：经DSP 调制好的PWM 信号输入到光耦HCPL 的原边2、3 脚，经光电耦合后将PWM 信号...
