EUV 介质对EUV 的吸收导致EUV 系统是反射系统，掩膜和投影物镜均为反射式。 EUV 技术延迟的原因有：1、DUV 技术的存在；2、EUV 存在的技术挑战和一些风险；3、90 年代金融危机的影响；4、各个公司对NGL 没有达成一致。 EUV 系统的结构：1、等离子体或稀有气体的EUV 光源；2、镀有多层膜的集光器和反射镜；3、装载反射掩膜的掩膜台；4、反射式投影物镜；5、装有硅片的扫描工件台。 EUV 的光束将引起掩膜和光学表面的局部受热，这要求在关键表面要有热控制。另外，磁悬浮平台的速度和位置都需要控制在纳米精度。 EUV 光学系统 为了保证好的像质，必须使用精度小于/14高精度反射式投影物镜系统。由于通过反射时的能量损失，必须限制实际的物镜的反射镜的数量，为了减小误差，必须使用非球面反射镜。 系统的成像质量通常用 zernike 系数表示，通过拟合透过光学系统的波前和理想球面波前进行比较拟合出 zernike 系数。Zernike 系数中的5 到 36 项被称作figure and quantify 像差。而 37 级及其以上的项被称作 mid spatial frequency roughness（MSFR），他描述了图像空间周期在 1um 到 1mm 时的平滑特性。MSFR引起了小角度的散射，这些散射光仍保持在像场内。MSFR 使背景照明超过了期望得到的理想图案的亮度，（即杂散光）。杂散光和杂散光的不均匀特性，都降低了像质。 杂散光的绝对值减小了图像的对比度，限制了操作条件和处理窗口。杂散光的不均匀性引起了图案关键尺寸的不均匀性。大角度的散射会使杂散光射在像场外，这种因为大角度而引起光的损失称作 HSFR。HSFR 与空间周期小于 1um 的表面粗糙度有关。HSFR 的主要影响是降低了产率。 四镜结构的投影物镜的WFE 不能大于 0.25nm RMS，六镜结构的0.25NA 数值孔径的投影物镜结构的WFE 要小于 0.2nm RMS。 因为同时获得低的MSFR 和HSFR 比较困难，所以一种多层膜平滑技术被法阵起来以用于在将 MSFR 减小到一个可以接受的范围之后减小 HSFR。 相移点衍射（PS/PDI）的精度已经达到 40 到 70pm，工作波长的横向剪切干涉（LSI）可以在保证高产率的情况下进行测量。 EUV 多层膜 EUV 辐射被所有材料所吸收，光学表面必须做成反射式的，并且在表面上必须镀有分布式的四分之一波长的多层膜反射层。各种材料被联合使用到表面反射层上，最常用的是 Mo，结合使用上 Si 或者 Be。 多层膜的周期被制造成通过干涉从而在峰值波长的处达到...
