IC 工艺及版图设计分类习题 Ⅰ 填 空 题 1
有 一 种 称 为 0
13u m 2P5M CMOS 单 阱 工 艺 , 它 的 特 征 线 宽 为 0
13u m , 互 连 层 共 有 7 层 , 其 电 路 类 型 为 CMOS
某 种 工 艺 称 为 0
35u m Mix ed Signal 2P4M Poly cide 3
3VProcess, 请 判 断 其 特 征 尺 寸 为 0
35u m , 互 连 层 共 有 6 层 , 适 合 ( 适 合 或 不 适 合 ) 于 设 计 模 拟 电 路
请 根 据 实 际 的 制 造 过 程 排 列 如 下 各 选 项 的 顺 序 : a
生 成 多 晶 硅 b
确 定 阱 的 位 置 和 大 小 c
定 义 扩 散 区 , 生 成 源 漏 区 d
确 定 有 源 区 的 位 置 和 大 小 e
确 定 接 触 孔 位 置 正 确 的 顺 序 为 : bdace
N 阱 CMOS 工 艺 中 ,之 所 以 要 将 衬 底 接 GND 、阱 接 到 电 源 上 ,是 因 为 阱 和 衬 底 构 成 的 pn 节 反 偏
版 图 验 证 主 要 包 括 三 方 面 : LVS , DRC , ERC ; 完 成 该 功 能 的 Cadence 工 具 主 要 有 ( 列 举 出 两 个 ): DIVA , DRACULA
芯 片 使 用 0
01 cmΩi P 型 衬 底 顶 部的 8u m 厚的 10 cmΩi P 型 外延层 制 作, 计 算从芯 片 抽取 25mA 电 流需要 6
67×104 u m2 衬 底 接 触 面 积
假设 最大 允许的 衬 底 去偏 置 为 0
某 种 铜铝合 金可以 安全工 作于 5×1 05 A/ cm2