5）驱动电路设计 IR2110 是 美 国 国 际 整 流 器 公 司 （ International Rectifier Company）于 1990 年前后开发并 投放市场至今独家生产的大功率 MOSFET 专用驱动集成电路。IR2110 的研制成功，使 MOSFET 驱动电路设计大为简化，又具有快速完整的保护功能，因而它 的应用可极大地提高控制系统的可靠性并缩小控制板的尺寸。IR2110 自举技术 (自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压 .自举二极管的作用，是利用其单向导电性完成电位叠加自举，二极管导通时，电容充电到U 1 ，二极管截止时，电路通过电容放电时U 1 与电路串联叠加自举！)同时输出两路驱动信号,驱动逆变桥中高压侧与低压侧 MOSFET，它的内部为自举工作设计了悬浮电源，悬浮电源保证了 IR2110 直接可用于母线电压为-4——+500V 的系统中来驱 动功率 MOSFET。 同时器件本身允许驱动信号的电压上升率达±50V/μ s， 芯片自身有整形功能， 实 现了不论其输入信号前后沿陡度如何，都可保证加到被驱动 MOSFET 栅极上的驱动信号前后沿很陡， 因而可极大地减少被驱动功率器件的开关时间，降低开关损耗。IR2110 的功耗很小，故可极大地减小应用它来驱动功率 MOS 器件时栅极驱动电路的电源容量。从而可减小栅极驱动电路的体积和尺寸，当其工作电源电压为 15V 时，其功耗仅为 1.6mW。 IR2110 的合理设计，使其输入级电源与输出级电源可应用不同的电压值，因而保证了其输入与 CMOS 或 TTL 电平兼容，而输出具有较宽的驱动电压范围，它允许的工作电压范围为 5-20V。同时， 允许逻辑地与工作地之间有-5--+5V 的电位差。在 IR2110 内部不但集成有独立的逻辑电源实现与用户脉冲匹配，而且还集成有滞后和下拉特 性的施密特触发器作为输入级，保证当驱动电路电压不足时封锁驱动信号，防止被驱动功率 MOS 器 件退出饱和区、进入放大区而损坏。IR2110 完善的设计，使它自身可对输入的两个通道信号之间产生合适的延时，保证加到被驱动 的同桥臂上的两个功率 MOS 器件的驱动信号之间有一互锁时间间隔，防止了被驱动的逆变桥中两个 功率 MOS 器件同时导通，防止了直通短路的危险。 IR2110 的的最高工作频率较高，内部对信号的延时很小。对两个通道来说，其典型开通延时为120ns，而关断延时为 94ns，且两个通...
