ITO制作工艺

触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO 图形制备工艺 [二]ITO 图形制备工艺 透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb 和 Cd 的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于 85%,对红外线的反射率大于 70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（Indium TinOxinde）ITO 为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到 1800 埃 (1埃 =10－ 10 米 )以下时会突然变得透明，透光率为 80％，再薄下去透光率反而下降，到 300 埃厚度时又上升到 80％。ITO 是所有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是 ITO 涂层。 一、ITO 的特性 ITO 就是在 In2O3 里掺入 Sn 后，Sn 元素可以代替 In2O3 晶格中的 In 元素而以 SnO2 的形式存在，因为 In2O3 中的 In 元素是三价，形成 SnO2 时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成 1020 至 1021cm-3 的载流子浓度和 10至 30cm2/vs 的迁移率。这个机理提供了在 10-4Ω.cm 数量级的低薄膜电阻率，所以 ITO 薄膜具有半导体的导 性能。 目前 ITO 膜层之电阻率一般在 5*10-4 左右，最好可达 5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征 ITO 的导电性能，ITO 膜之透过率和阻值分别由 In2O3 与 Sn2O3 之比例控制，增加氧化锢比例则可提高 ITO 之透过率，通常 Sn2O3： In2O3=1：9 因为氧化锡之厚度超过 200?时，通常透明度已不够好--虽然导电性能很好。 如用是电流平行流经 ITO 脱层的情形，其中 d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向上膜厚层长度，L2 为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻 R=PL1/dL2 式中 P为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P 和 d 可视为定值，P/d，当L1=L2 时，其正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义： R□=P/d，式中 R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与 IOT 膜层电阻率 P 和 ITO 膜厚 d 有关且ITO 膜阻值越低，膜厚越大。 ITO 膜层的电阻对高温和酸碱比较敏感，因为通常的电子产品生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在 300°C *30min 的环境中，会使 R□增大 2-3 倍，而在 10wt%NaOH...