ITO 靶材的研究现状与发展趋势 引言 近年来随着平面显示行业以及平板显示器尺寸大型化，性能优良化的高速发展，要求用于高端平面显示器的高密度靶材，具有生产低成本化、尺寸大形化、成分结构均匀化及高利用率的发展趋势。因为 ITO 靶材性能是决定 TCO 产品质量，生产效率，成品率的关键。TCO生产厂商要求生产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀不波动的导电玻璃，这要求 ITO 靶性能既优良又稳定。 高端 TFT- LCD 用 ITO 靶材均来自日本的东曹、日立、住友、日本能源、三井， 韩国三星康宁， 美国优美克， 德国的贺力士等公司。日本在高端 ITO 靶材生产技术方面一直处于领先地位， 几乎垄断了大部分 TFT 液晶市场。然而，由于国内没有完全打破高密度 ITO靶材生产的技术瓶颈，靶材的产品质量无法满足高端平板显示器的要求，同时我国作为 LCD以及其它需要高密度 ITO 靶材的平面显示器材的消费大国，国内的平面显示器材所需的高密度 ITO 靶材几乎全部从国外进口，仅有小批量用于低端液晶产品的生产，难以与国外竞争。因此，对ITO 靶材制备工艺的研究具有十分重要的意义。 ITO 靶材简介 透明导电薄膜的种类很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO 的性能最佳，ITO具有高的透光率，低电阻率。目前ITO 的制备方法主要是磁控溅射，要获得高质量的 ITO薄膜，制备高密度、高纯度和高均匀性的 ITO 靶材是关键。ITO 溅射靶的理论密度为7115g/cm 3。优质的成品 ITO 溅射靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射ITO 导电膜。 目前ITO 靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中热等静压法制备的 ITO 靶材的质量最高，其相对密度能达到99%以上，但是需要昂贵的设备，制备成本较高，周期较长。采用冷等静压-烧结法，烧结温度高，保温时间长，制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。SPS技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO 靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结...
