一 、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 1． 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。 2． 单晶硅生长常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭 ）。 3． 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。 4． 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ 单晶生长 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。 5． 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。 6． CZ直拉法生长单晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）变为（ 有正确晶向的 ）并且（ 被掺杂成 p型或 n型 ）的固体硅锭。 7． CZ直拉法的目的是（ 实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中 ）。影响 CZ直拉法的两个主要参数是（ 拉伸速率 ）和（ 晶体旋转速率 ）。 8． 晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。 9． 制备半导体级硅的过程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生长硅单晶 ）；3（ 提纯）。 氧化 10． 二氧化硅按结构可分为（ ）和（ ）或（ ）。 11． 热氧化工艺的基本设备有三种：（ 卧式炉 ）、（ 立式炉 ）和（ 快速热处理炉 ）。 12． 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。 13． 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（ 工艺腔 ）、（ 硅片传输系统 ）、气体分配系统、尾气系统和（ 温控系统 ）。 14． 选择性氧化常见的有（ 局部氧化 ）和（ 浅槽隔离 ），其英语缩略语分别为 LOCOS和（ STI ）。 15． 列出热氧化物在硅片制造的 4种用途：（ 掺杂阻挡 ）、（ 表面钝化 ）、场氧化层和（ 金属层间介质 ）。 16． 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（ 氧化 ）、（ 扩散 ）、（ ）、退火和合金。 17． 硅片上的氧化物主要通过（ 热生长 ）和（ 淀积 ）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（ 薄膜 ）。 18． 热 氧 化 的 目 标 是 按 照 （ ） 要 求 生 长 （ ）、（ ） 的 二氧 化 硅薄膜。 19． 立式炉的 工艺腔或炉管是 对硅片加热 的...
