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三极管内部的深入理解

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三极管内部的深入理解终于搞明白了三极管是怎么放大电流的了,看看吧,也许你到现在都不明白呢,为什么Ib和Ic成比例?三极管原理的关键是要说明以下3点:1集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2放大状态下集电极电流Ic为什么只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。3饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。一、 传统讲法及问题:传统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图 A。“1发射区向基区注入电子;2电子在基区的扩散与复合;3集电区收集由基区扩散过来的电子。”注1问题 1:这种讲解方法在第 3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要 Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失 效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下 Ic与 Vc在数量上必须无关,Ic只能受控于 Ib。问题2:不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时,Vc的值很小甚至低于 Vb,此时仍然出现了很大的反向饱和电流 Ic,也就是说在Vc很小时,集电结仍然会出现反向导通的现象。这很明显地与强调 Vc的高电位作用相矛盾。问题3: 传统讲法第2步过于强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为只要基区足够薄,集电结就可能会失去 PN结的单向导电特性。这显然与人们利用三极管内部 两个 PN结的单向导电性,来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄,人们判断管脚名称时,也并没有发现因为基区的薄而导致 PN结单向导电性失效的情况。 基区很薄,但两个 PN结的单向导电特性仍然完好无损,这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据。问题4:在第2步讲解为什么 Ic会受 Ib控制,并且 Ic与 Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时,不能形象说明。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低,不能从根本上说明电流放大倍数究竟是因为什么会保持不变。问题5:割裂二极管与三极管在原理上的自然联系,无法实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念,二极管原理强调PN结正向导电反向截止,而三极管原理则又要求PN结能够反向导通。同时,也不能...

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